| 研究課題/領域番号 |
25289256
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
中村 貴宏 東北大学, 多元物質科学研究所, 准教授 (50400429)
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| 連携研究者 |
佐藤 俊一 東北大学, 多元物質科学研究所, 教授 (30162431)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
12,610千円 (直接経費: 9,700千円、間接経費: 2,910千円)
2015年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
2014年度: 3,510千円 (直接経費: 2,700千円、間接経費: 810千円)
2013年度: 6,760千円 (直接経費: 5,200千円、間接経費: 1,560千円)
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| キーワード | パルスレーザー堆積法 / 冷凍ターゲット / ワイドバンドギャップ半導体 / 薄膜 / フェムト用パルスレーザー / 薄膜プロセス / フェムト秒レーザー |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではインテグレーテッドパルスレーザー堆積法を提案し，それを用いて深紫外発光素子の創製を試みる．PLD法による深紫外発光素子作製のためには，粗大粒子の排除と高エネルギー励起種の発生ならびに異種原子ドープが必要不可欠である．本研究では，冷凍ボラジンターゲットと数mJの高強度フェムト秒パルスレーザー光を用いることで，高品質立方晶窒化硼素（c-BN）薄膜を作製し，薄膜への異種原子ドープも試みる．すなわち，化合物薄膜の作製手法としては既に一般となっているPLD法に，冷凍ターゲットと高強度フェムト秒パルスならびにダブルレーザーアブレーション法を組み合わせることで深紫外発光素子の実現を図る．
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