| 研究課題/領域番号 |
25289258
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
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| 研究機関 | 茨城大学 |
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研究代表者 |
大貫 仁 茨城大学, 理工学研究科, 特任教授 (70315612)
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| 研究分担者 |
稲見 隆 茨城大学, 工学部, 准教授 (20091853)
近藤 和夫 大阪府立大学, 大学院工学研究科, 教授 (50250478)
永野 隆敏 茨城大学, 工学部, 講師 (70343621)
篠嶋 妥 茨城大学, 工学部, 教授 (80187137)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2015年度: 5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2014年度: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2013年度: 8,060千円 (直接経費: 6,200千円、間接経費: 1,860千円)
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| キーワード | Cu-TSV / ３次元実装 / 低抗率 / Cuめっき / 不純物 / 3次元実装 / 抵抗率 / 結晶粒径 / 化合物 / 低歪 / TSV / 低ひずみ |
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| 研究成果の概要 |
3次元配線実装技術の中心的課題が最短配線技術（Cu-TSV）であり、その低低抗率化は不可欠な課題であるが、正確な値が公表されていない。本研究では、低抗率測定用TEGパターンの設計および低抗率評価を行うとともにデータの検証も行った。得られた結果を以下に示す。1)直径10μm,深さ80nmのCu-TSVの低抗率は4.13μΩ・cmとバルクCuよりも高い。2)Cu-TSVには50nm以下の結晶粒の存在比が27%も存在し、この小さい結晶粒が電子の散乱を引き起こして低抗率を増大させたと考えられる。3)Cl,Oおよび金属元素からなる不純物が粒界に存在し、粒成長を抑制したと考えられる。
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