| 研究課題/領域番号 |
25289263
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| 研究種目 |
基盤研究(B)
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| 配分区分 | 一部基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
材料加工・組織制御工学
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
小野 幸子 工学院大学, 公私立大学の部局等, 研究員 (90052886)
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| 研究分担者 |
阿相 英孝 工学院大学, 先進工学部, 准教授 (80338277)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
18,980千円 (直接経費: 14,600千円、間接経費: 4,380千円)
2015年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2014年度: 4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2013年度: 10,660千円 (直接経費: 8,200千円、間接経費: 2,460千円)
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| キーワード | 材料加工・処理 / 半導体微細加工 / 薄膜プロセス / ナノ・マイクロ科学 / ナノ材料 / 先端機能デバイス / 半導体超微細化 / 自己規則化 / 国際情報交換 ドイツ |
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| 研究成果の概要 |
本研究においては，GaAsやInPなど半導体の，高アスペクト比のメソーマクロ領域での規則構造を持つホールアレーおよびピラー・ワイヤーアレイを，微粒子フォトリソグラフィーと（金属触媒促進）化学エッチングやアノードエッチング，アノード酸化を複合化する手法で作製し，そのデバイス特性を評価した。また，GaAsの結晶異方性エッチングに対する種々のエッチャントの効果を検討した。得られた結果から，それぞれの結晶面のエッチング速度はエッチャントの種類と酸化剤の濃度に大きく依存することが明らかになった。
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