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対流制御による高品質InGaSb結晶の育成

研究課題

研究課題/領域番号 25289270
研究種目

基盤研究(B)

配分区分一部基金
応募区分一般
研究分野 金属・資源生産工学
研究機関国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構

研究代表者

稲富 裕光  国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構, 宇宙科学研究所, 教授 (50249934)

研究分担者 早川 泰弘  静岡大学, 電子工学研究所, 教授 (00115453)
連携研究者 ムカンナン アリバナンドハン  静岡大学, 電子工学研究所, 助教 (50451620)
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
18,590千円 (直接経費: 14,300千円、間接経費: 4,290千円)
2015年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
2014年度: 10,400千円 (直接経費: 8,000千円、間接経費: 2,400千円)
2013年度: 5,590千円 (直接経費: 4,300千円、間接経費: 1,290千円)
キーワード対流制御 / 均一組成結晶 / InGaSb / 不純物縞 / 界面カイネティクス / 面方位依存性 / 成長速度 / 結晶工学 / 結晶成長
研究成果の概要

対流が抑制された条件にて、以下の新たな現象が見出された。1) 成長結晶中の濃度均一性の向上や欠陥の減少に留まらず、成長量が多く結晶成長の高速化が起こった。この原因は通常条件では密度差対流が原料から成長界面近傍への均等な溶質輸送を阻害することによることが明らかになった。2) 成長カイネティクスの影響が顕在化して(111)A、B面の結晶が共に平坦に成長した。また、溶解量、成長速度についても面方位依存性が見られた。原子モデルに基づく考察により、(111)A、B面の成長・溶解過程の違いは単位胞中の結合数が異なることが原因と考えられる。

報告書

(5件)
  • 2016 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2015 実績報告書
  • 2014 実績報告書
  • 2013 実績報告書
  • 研究成果

    (47件)

すべて 2017 2016 2015 2014 2013

すべて 雑誌論文 (11件) (うち国際共著 1件、 査読あり 9件、 オープンアクセス 8件、 謝辞記載あり 6件) 学会発表 (36件) (うち国際学会 10件、 招待講演 3件)

  • [雑誌論文] Alloy Semiconductor 実験総括2017

    • 著者名/発表者名
      稲富裕光, 早川泰弘, 岡野泰則, 石川毅彦
    • 雑誌名

      International Journal of Microgravity Science and Application

      巻: 34 号: 1 ページ: 340110

    • DOI

      10.15011//jasma.34.340110

    • NAID

      130007842571

    • ISSN
      2188-9783
    • 年月日
      2017-01-31
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Effects of Gravity and Crystal Orientation on the Growth of InGaSb Ternary Alloy Semiconductors2017

    • 著者名/発表者名
      Yasuhiro Hayakawa, Velu Nirmal Kumar, Mukkannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Kaoruho Sakata, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, and Yuko Inatomi
    • 雑誌名

      International Journal of Microgravity Science and Application

      巻: 34 号: 1 ページ: 340111

    • DOI

      10.15011//jasma.34.340111

    • NAID

      130007842573

    • ISSN
      2188-9783
    • 年月日
      2017-01-31
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] A numerical simulation model by volume averaging for the dissolution process of GaSb into InSb in a sandwich system2016

    • 著者名/発表者名
      T. Yamamoto, H. Mirsandi, X. Jin, Y. Takagi, Y. Okano, Y. Inatomi, Y. Hayakawa and S. Dost
    • 雑誌名

      Numer. Heat Tr. B-Fund.

      巻: 70 号: 5 ページ: 441-458

    • DOI

      10.1080/10407790.2016.1230397

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 国際共著 / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Effects of varying indium composition on the thermoelectric properties of InxGa1-xSb ternary alloys2016

    • 著者名/発表者名
      Nirmal Kumar Velu, Mukkannan Arivanandhan, Tadanobu Koyama, Haruhiko Udono, Yuko Inatomi, Yasuhiro Hayakawa
    • 雑誌名

      Applied Physics A

      巻: 122 号: 10 ページ: 8851-5

    • DOI

      10.1007/s00339-016-0409-9

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Investigation of directionally solidified InGaSb ternary alloys from Ga and Sb faces of GaSb(111) under prolonged microgravity at the International Space Station2016

    • 著者名/発表者名
      V. Nirmal Kumar, M. Arivanandhan, G. Rajesh, T. Koyama, Y. Momose, K. Sakata, T. Ozawa, Y. Okano, Y. Inatomi and Y. Hayakawa
    • 雑誌名

      npj Microgravity

      巻: 2 号: 1 ページ: 160261-7

    • DOI

      10.1038/npjmgrav.2016.26

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] Growth of InxGa1-xSb alloy semiconductor at the International Space Station (ISS) and comparison with terrestrial experiments2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, K. Sakata, M. Arivanandhan, G. Rajesh, V. Nirmal Kumar, T. Koyama, Y. Momose, T. Ozawa, Y. Okano, Y. Hayakawa
    • 雑誌名

      npj Microgravity

      巻: 1 号: 1 ページ: 1-6

    • DOI

      10.1038/npjmgrav.2015.11

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス / 謝辞記載あり
  • [雑誌論文] A numerical study on growth process of InGaSb crystal under microgravity field with considering interfacial kinetics2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Okano, H. Mirsandi, Y. Inatomi, Y. Hayakawa and S. Dost
    • 雑誌名

      Microgravity Science and Technology

      巻: 印刷中 号: 5 ページ: 313-320

    • DOI

      10.1007/s12217-015-9417-1

    • 関連する報告書
      2015 実績報告書 2014 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Viscosity of Molten InSb, GaSb, and InxGa1-xSb alloy semiconductors2014

    • 著者名/発表者名
      K. Sakata, M. Mukai, G. Rajesh, M. Arivanandhan, Y. Inatomi, T. Ishikawa, Y. Hayakawa
    • 雑誌名

      International Journal of Thermophysics

      巻: 35 号: 2 ページ: 352-360

    • DOI

      10.1007/s10765-014-1582-8

    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Crystal Growth of Ternary Alloy Semiconductor and Preliminary Study for Microgravity Experiment at the International Space Station2014

    • 著者名/発表者名
      K. Sakata, M. Midori, M. Arivanandhan, G. Rajesh, T. Ishikawa, Y. Inatomi and Y. Hayakawa
    • 雑誌名

      TRANSACTIONS OF THE JAPAN SOCIETY FOR AERONAUTICAL AND SPACE SCIENCES, AEROSPACE TECHNOLOGY JAPAN

      巻: 12 号: ists29 ページ: Ph_31-Ph_35

    • DOI

      10.2322/tastj.12.Ph_31

    • NAID

      130004701804

    • ISSN
      1884-0485
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 査読あり / オープンアクセス
  • [雑誌論文] Thermal Properties of Molten InSb, GaSb, and InxGa1-xSb Alloy Semiconductor Materials in Preparation for Crystal Growth Experiment on International Space Station2014

    • 著者名/発表者名
      K. Sakata, M. Mukai, G. Rajesh, M. Arivanandhan, Y. Inatomi, T. Ishikawa, Y. Hayakawa
    • 雑誌名

      Advances in Space Research

      巻: 53 号: 4 ページ: 689-695

    • DOI

      10.1016/j.asr.2013.12.002

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] 国際宇宙ステーションでの結晶成長実験に関する溶融InGaSbの粘度測定2013

    • 著者名/発表者名
      阪田薫穂, 向井碧, Govindasamy Rajesh,Mukannan Arivanandan, 稲富裕光, 石川毅彦, 早川泰弘
    • 雑誌名

      熱物性

      巻: 27 ページ: 152-156

    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] A Numerical Simulation Study for Predicting the Dissolution Length in Growth of InGaSb under the Microgravity Conditions of the ISS2016

    • 著者名/発表者名
      X. Jin, T. Yamamoto, Y. Takagi, Y. Okano, Y. Inatomi, Y. Hayakawa and S. Dost
    • 学会等名
      11th Asian Microgravity Symposium (AMS 2016)
    • 発表場所
      Hokkaido University, Sapporo, Japan
    • 年月日
      2016-10-25
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Growth and Dissolution Rates of InGaSb Crystal under Reduced Convection Condition”2016

    • 著者名/発表者名
      Yuko Inatomi, Velu Nirmal Kumar, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Kaoruho Sakata, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Yasunori Okano and Yasuhiro Hayakawa
    • 学会等名
      11th Asian Microgravity Symposium (AMS 2016)
    • 発表場所
      Hokkaido University, Sapporo, Japan
    • 年月日
      2016-10-25
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 国際宇宙ステーション内の長期微小重力環境下におけるGaSb(111)Ga面及びSb面種結晶からのInGaSb三元混晶結晶成長2016

    • 著者名/発表者名
      早川泰弘, V. Nirmal Kumar, M. Arivanandhan, 小山忠信, 百瀬与志美, 阪田薫穂, 小澤哲夫, 岡野泰則, 稲富裕光
    • 学会等名
      第77回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      朱鷺メッセ, 新潟県新潟市
    • 年月日
      2016-09-13
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] A Numerical Study on the Growth Process of InGaSb Crystals under Microgravity Onboard the International Space Station2016

    • 著者名/発表者名
      X. Jin, T. Yamamoto, Y. Takagi, Y. Okano, and Y. Inatomi, Y. Hayakawa and S. Dost
    • 学会等名
      The 18th International Conference on Crystal Growth and Epitaxy (ICCGE-18)
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 年月日
      2016-08-07
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Japanese Material Research under Microgravity2016

    • 著者名/発表者名
      Yuko Inatomi
    • 学会等名
      The 3rd Japan-China Workshop on Material Science in Space
    • 発表場所
      University of the Ryukyus, Okinawa, Japan
    • 年月日
      2016-05-25
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] 微小重力環境下におけるInGaSb凝固に関する数値解析2016

    • 著者名/発表者名
      岡野泰則, Jin Xin, 山本卓也, 高木洋平, 早川泰弘, 稲富裕光
    • 学会等名
      第53回日本伝熱シンポジウム
    • 発表場所
      大阪国際会議場, 大阪府大阪市
    • 年月日
      2016-05-24
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 国際宇宙ステーション内InGaSb結晶成長に関する数値解析2016

    • 著者名/発表者名
      岡野泰則, Jin Xin, 山本卓也, 高木洋平, 早川泰弘, 稲富裕光
    • 学会等名
      第63回応用物理学会春季学術講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス, 日本
    • 年月日
      2016-03-19
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
  • [学会発表] Microgravity Experiment of InGaSb Alloy Semiconductor Crystals at International Space Station2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayakawa, V.N. Kumar, G. Rajesh, M. Arivanandhan, T. Koyama,Y. Momose, T. Ozawa, Y. Okano and Y. Inatomi
    • 学会等名
      The 60th DAE Solid State Physics Symposium
    • 発表場所
      Amity University, Noida, Uttar Pradesh, Inida
    • 年月日
      2015-12-21
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会 / 招待講演
  • [学会発表] Numerical Simulation of InGaSb Crystals growth under Numerical Simulation of InGaSb Crystals growth under Micro-Gravity environment onboard the International Space Station2015

    • 著者名/発表者名
      X. Jin, H. Mirsandi, T. Yamamoto, Y. Takagi, Y. Okano, Y. Inatomi, Y. Hayakawa and S. Dost
    • 学会等名
      Inter-Academia 2015
    • 発表場所
      Congress Center in Hamamatsu ACT CITY, Japan
    • 年月日
      2015-09-28
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Growth Properties of InGaSb Ternary Alloys Under Microgravity and Normal Gravity Conditions2015

    • 著者名/発表者名
      Velu Nirmal Kumar, Govindasamy Rajesh, Tadanobu Koyoma, Yoshimi Momose, Yuko Inatomi, Kaoruho Sakata, Takehiko Ishikawa, Masahito Takayanagi, Shigeki Kamigaichi, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Yasuhiro Hayakawa
    • 学会等名
      The Joint Conference of 6th International Symposium on Physical Sciences in Space (ISPS-6) and 10th International Conference on Two-Phase Systems for Space and Ground Applications (ITTW2015)
    • 発表場所
      Doshisha University, Kyoto, Japan
    • 年月日
      2015-09-14
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Growth Properties of InGaSb under Normal and Microgravity Condition at International Space Station2015

    • 著者名/発表者名
      V. Nirmal Kumar, G. Rajesh, M. Arivanandhan, T. Koyama, Y. Momose, K. Sakata, T. Ishikawa, T. Ozawa, Y. Okano, Y. Inatomi and Y. Hayakawa
    • 学会等名
      SRM University - Shizuoka University Joint Symposium
    • 発表場所
      Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-09-03
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Morphological change of S/L interface in semiconductor solution growth under reduced convection condition2015

    • 著者名/発表者名
      Yuko Inatomi, Mukannan Arivanandhan, Velu Nirmal Kumar, Haryo Mirsandi, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Tetsuo Ozawa, Takehiko Ishikawa, Yasunori Okano, Yasuhiro Hayakawa
    • 学会等名
      The 30th International Symposium on Space Technology and Science (30th ISTS)
    • 発表場所
      Kobe International Conference Center, Kobe, Japan
    • 年月日
      2015-07-04
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] A Numerical Simulation Study on the Growth Process of InGaSb Crystals under Microgravity by Using Open FOAM2015

    • 著者名/発表者名
      Xin Jin, Haryo Mirsandi, Takuya Yamamoto, Yohei Takagi, Yasunori Okano, Yuko Inatomi, Yasuhiro Hayakawa, Sadik Dost
    • 学会等名
      The 30th International Symposium on Space Technology and Science (30th ISTS)
    • 発表場所
      Kobe International Conference Center, Kobe, Japan
    • 年月日
      2015-07-04
    • 関連する報告書
      2015 実績報告書
    • 国際学会
  • [学会発表] Crystal growth of InxGa1-xSb under Reduced Convection Condition2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, Kaoruho Sakata, M. Arivanandhan, G. Rajesh, V. Nirmal Kumar, T. Koyama, Y. Momose, T. Ozawa, Y. Okano, and Y. Hayakawa
    • 学会等名
      3rd International Conference on Nanoscience and Nanotechnology (ICONN 2015)
    • 発表場所
      SRM Universit, Tamilnadu, India
    • 年月日
      2015-02-04 – 2015-02-06
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] Growth Process of InGaSb under Microgravity and Normal Gravity Conditions2015

    • 著者名/発表者名
      V. Nirmal Kumar, M. Arivanandhan, G. Rajesh, Y. Katsumata, T. Koyama, Y. Momose, Y. Inatomi, K. Sakata, T. Ishikawa, M. Takayanagi, S. Kamigaichi, T. Ozawa, Y. Okano and Y. Hayakawa
    • 学会等名
      2015 International Symposium toward the Future of Advanced Researches in Shizuoka University
    • 発表場所
      Shizuoka University. Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-01-27 – 2015-01-28
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 国際宇宙ステーション内の微小重力環境下における混晶半導体結晶成長2015

    • 著者名/発表者名
      早川泰弘, 稲富裕光, 阪田薫穂, 石川毅彦, 高柳昌弘, 上垣内茂樹, M. Arivanandhan, V. Nirmal Kumar, G. Rajesh, 小山忠信, 百瀬与志美, 小澤哲夫, 岡野泰則
    • 学会等名
      第29回宇宙環境利用シンポジウム
    • 発表場所
      宇宙航空研究開発機, 神奈川県相模原市
    • 年月日
      2015-01-24 – 2015-01-25
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Effect of gravity on the growth of InGaSb ternary alloy semiconductor bulk crystals2015

    • 著者名/発表者名
      Y. Katsumata, M. Arivanandhan, V. Nirmal Kumar, G. Rajesh, T. Koyama, Y. Momose, Y. Inatomi, K. Sakata, T. Ishikawa, T. Ozawa, Y. Okano and Y. Hayakawa
    • 学会等名
      SRM University - Shizuoka University Joint Symposium
    • 発表場所
      Shizuoka University, Hamamatsu, Japan
    • 年月日
      2015-01-07
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Japanese Crystal Growth Experiments on International Space Station2014

    • 著者名/発表者名
      Yuko Inatomi and Masahiro Takayanagi
    • 学会等名
      The 2nd China-Japan Workshop on Material Science in Space
    • 発表場所
      Jinan, Shandong Province, China
    • 年月日
      2014-12-20 – 2014-12-22
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] InGaSb alloy semiconductor growth under 1G and microgravity2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Hayakawa, M. Arivanandhan, V. Nirmal Kumar, G. Rajesh, Y. Katsumata, T. Koyama, Y. Momose, Y. Inatomi, K. Sakata, T. Ishikawa, M. Takayanagi, S. Kamigaichi, T. Ozawa and Y. Okano
    • 学会等名
      The 2nd China-Japan Workshop on Material Science in Space
    • 発表場所
      Jinan, Shandong Province, China
    • 年月日
      2014-12-20 – 2014-12-22
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Numerical investigation of melting and growth of InGaSb by using temperature gradient method2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Okano, H. Mirsandi, T. Yamamoto, Y. Takagi, Y. Inatomi and Y. Hayakawa
    • 学会等名
      The 2nd China-Japan Workshop on Material Science in Space
    • 発表場所
      Jinan, Shandong Province, China
    • 年月日
      2014-12-20 – 2014-12-22
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] InGaSb結晶成長に対する重力効果 ―国際宇宙ステーション内の微小重力下と1G下実験―2014

    • 著者名/発表者名
      Velu Niramal Kumar, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, 小山忠信, 百瀬与志美, 稲富裕光, 阪田薫穂, 石川毅彦, 高柳昌弘, 上垣内茂樹, 小澤哲夫, 岡野泰則, 早川泰弘
    • 学会等名
      日本マイクログラビティ応用学会第26回学術講演会
    • 発表場所
      イーグレ姫路, 兵庫県姫路市
    • 年月日
      2014-11-26 – 2014-11-28
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] ISSにおけるInGaSb結晶成長実験に対する数値シミュレーション2014

    • 著者名/発表者名
      ミルサンディ ハルヨ, 山本卓也, 高木洋平, 岡野泰則, 稲富裕光, 早川泰弘
    • 学会等名
      日本マイクログラビティ応用学会第26回学術講演会
    • 発表場所
      イーグレ姫路, 兵庫県姫路市
    • 年月日
      2014-11-26 – 2014-11-28
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] InGaSb混晶半導体結晶成長に対する重力効果―国際宇宙ステーション実験―2014

    • 著者名/発表者名
      早川泰弘, Mukannan Arivanandhan, Velu Niramal Kumar, Govindasamy Rajesh, 小山忠信, 百瀬与志美, 稲富裕光, 阪田薫穂, 石川毅彦, 高柳昌弘, 上垣内茂樹, 小澤哲夫, 岡野泰則
    • 学会等名
      第44回結晶成長国内会議
    • 発表場所
      学習院創立百周年記念会館, 東京都豊島区
    • 年月日
      2014-11-06 – 2014-11-08
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Crystal growth of InxGa1-xSb alloy semiconductor under microgravity at International Space Station (ISS) and comparison with ground based experiment2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Inatomi, K. Sakata, T. Ishikawa, M. Takayanagi, S. Yoda, Y. Kamigaichi, M. Arivanandhan, G. Rajesh, V. Nirmal Kumar, T. Koyama, Y. Momose, T. Ozawa, Y. Okano and Y. Hayakawa
    • 学会等名
      10th Asian Microgravity Symposium
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 年月日
      2014-10-28 – 2014-10-31
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] A numerical study on growth process of InGaSb crystal under microgravity field with considering interfacial kinetics2014

    • 著者名/発表者名
      Y. Okano, H. Mirsandi, Y. Inatomi, Y. Hayakawa and S. Dost
    • 学会等名
      10th Asian Microgravity Symposium
    • 発表場所
      Seoul, Korea
    • 年月日
      2014-10-28 – 2014-10-31
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] 微小重力環境下でのInGaSb結晶成長における界面カイネティクスの影響に関する数値解析2014

    • 著者名/発表者名
      ハルヨ・ミルサンディ, 山本卓也, 高木洋平, 岡野泰則, 稲富裕光, 早川泰弘
    • 学会等名
      第63回理論応用力学講演会
    • 発表場所
      東京工業大学大岡山キャンパス, 東京都目黒区
    • 年月日
      2014-09-26 – 2014-09-28
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Growth and properties of InGaSb alloy semiconductor crystals grown under microgravity and 1G conditions2014

    • 著者名/発表者名
      V. Nirmal Kumar, M. Arivanandhan, G. Rajesh, T. Koyama, Y. Momose, Y. Inatomi, K. Sakata, T. Ishikawa, M. Takayanagi, S. Kamigaichi, T. Ozawa, Y. Okano, Y. Hayakawa
    • 学会等名
      第75回応用物理学会秋季学術講演会
    • 発表場所
      北海道大学札幌キャンパス, 北海道札幌市
    • 年月日
      2014-09-17 – 2014-09-20
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] Growth of InGaSb alloy semiconductor crystal under 1G condition as a preliminary study for microgravity experiment at International Space Station2014

    • 著者名/発表者名
      V. Nirmal Kumar, M. Arivanandhan, G. Rajesh, T. Koyama, Y. Momose, Y. Inatomi, K. Sakata, T. Ishikawa, M. Takayanagi, S. Kamigaichi, T. Ozawa, Y. Okano and Y. Hayakawa
    • 学会等名
      13th International Conference on Global Research and Education (Inter-Academia 2014)
    • 発表場所
      Riga Technical University, Riga, Latvia
    • 年月日
      2014-09-10 – 2014-09-12
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] First Experiment of Alloy Semiconductor Project in ISS2014

    • 著者名/発表者名
      Yuko Inatomi, Kaoruho Sakata, Yasuhiro Hayakawa, Takehiko Ishikawa, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Tadanobu Koyama, Yoshimi Momose, Krishnasamy Sankaranarayanan, Akira Tanaka, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Masahiro Takayanagi, Shinichi Yoda, and Y. Kamigaichi
    • 学会等名
      40th COSPAR Scientific Assembly (COSPAR MOSCOW 2014)
    • 発表場所
      Moscow, Russia
    • 年月日
      2014-08-02 – 2014-08-10
    • 関連する報告書
      2014 実績報告書
  • [学会発表] InGaSb混晶半導体作製に及ぼす重力の影響2014

    • 著者名/発表者名
      岡野泰則, 高木洋平, ハルヨ・ミルサンディ, 延岡雅弘, 稲富裕光, 早川泰弘
    • 学会等名
      化学工学会第79年会
    • 発表場所
      岐阜大学, 柳戸キャンパス, 阜県岐阜市
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] InGaSb結晶成長過程における界面カイネティクスの影響に関する数値解析2014

    • 著者名/発表者名
      Haryo Mirsandi, 高木洋平, 岡野泰則, 延岡雅弘, 稲富裕光, 早川泰弘
    • 学会等名
      化学工学会第79年会
    • 発表場所
      岐阜大学, 柳戸キャンパス, 阜県岐阜市
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] A numerical simulation study on the interface kinetics during the growth process of InGaSb crystal2013

    • 著者名/発表者名
      H. Mirsandi, Y. Takagi, T. Yamamoto, Y. Inatomi, Y. Hayakawa, S. Dost, and Y. Okano
    • 学会等名
      The 26th International Symposium on Chemical Engineering (ISChE 2013)
    • 発表場所
      BEXCO, Busan, Korea
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Japanese Crystal Growth Research on International Space Station2013

    • 著者名/発表者名
      Yuko Inatomi, Yasuhiro Hayakawa, Mukannan Arivanandhan, Kyoichi Kinoshita, Yasutomo Arai, Izumi Yoshizaki, Masahiro Takayanagi
    • 学会等名
      The 15th Takayanagi Kenjiro memorial symposium
    • 発表場所
      Shizuoka University, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] INGASB ALLOY SEMICONDUCTOR CRYSTAL GROWTH UNDER REDUCED CONVECTION CONDITION2013

    • 著者名/発表者名
      Yuko Inatomi, Kaoruho Sakata, Mukannan Arivanandhan, Govindasamy Rajesh, Yasuhiro Hayakawa, Akira Tanaka, Tetsuo Ozawa, Yasunori Okano, Takehiko Ishikawa, Masahiro Takayanagi
    • 学会等名
      ELGRA Biennial Symposium and General Assembly
    • 発表場所
      Rome, Italy
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] Crystal growth of ternary alloy semiconductor and preliminary study for microgravity experiment at International Space Station2013

    • 著者名/発表者名
      K. Sakata, M. Midori, M. Arivanandhan, G. Rajesh, T. Ishikawa, Y. Inatomi and Y. Hayakawa
    • 学会等名
      29th International Symposimu on Space Technology and Science
    • 発表場所
      Nagoya, Japan
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書
  • [学会発表] ISSにおけるAlloy Semiconductorプロジェクトの現状2013

    • 著者名/発表者名
      稲富裕光, 阪田薫穂,早川泰弘,石川毅彦, Mukannan Arivanandan, Govindasamy Rajesh,小山忠信, 百瀬与志美, 田中 昭,小澤哲夫, 岡野泰則, 高柳昌弘, 上垣内茂樹
    • 学会等名
      日本マイクログラビティ応用学会第26回学術講演会
    • 発表場所
      芝浦工業大学, 東京都江東区
    • 関連する報告書
      2013 実績報告書

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公開日: 2013-05-21   更新日: 2019-07-29  

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