| 研究課題/領域番号 |
25390033
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
ナノ材料工学
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| 研究機関 | 大阪工業大学 |
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研究代表者 |
小池 一歩 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40351457)
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| 研究分担者 |
原田 義之 大阪工業大学, 工学部, 准教授 (20288757)
矢野 満明 大阪工業大学, 工学部, 教授 (40200563)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2017-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2016年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2016年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 酸化モリブデン / 分子線エピタキシー / 結晶構造解析 / 熱処理効果 / 高エネルギー粒子線耐性 / 結晶構造制御 / エピタキシャル成長 / 放射線耐性 / 酸化タングステン / エレクトロクロミック / ヘテロ接合 / Transition metal oxide / Molecular beam epitaxy / Molybdenum trioxide / Tungsten trioxide / 三酸化モリブデン / ワイドギャップ半導体 / サファイア基板 / 構造制御 |
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| 研究成果の概要 |
三酸化モリブデン（MoO3）は抵抗可変型メモリー、エレクトロクロミックディスプレイ、マイクロバッテリーなどの応用に期待されている材料である。これまで、アモルファスや多結晶のMoO3薄膜の成長と評価が精力的に行われているが、単結晶薄膜の成長に関する報告はほとんど無い。我々は、分子線エピタキシー法でサファイアやLSAT基板上にMoO3薄膜を成膜したところ、高品質なorthorhombic構造のMoO3薄膜をエピタキシャル成長させることに成功した（詳細は次頁を参考にしていただきたい）。本研究成果は、MoO3薄膜を次世代の機能性デバイスへ応用する上で有用な知見を与えるものである。
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