| 研究課題/領域番号 |
25390052
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 長岡技術科学大学 |
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研究代表者 |
内富 直隆 長岡技術科学大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (20313562)
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| 連携研究者 |
豊田 英之 長岡技術科学大学, 工学部, 技術職員 (90467085)
神保 良夫 長岡技術科学大学, 工学部, 教務職員 (10134975)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 3,120千円 (直接経費: 2,400千円、間接経費: 720千円)
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| キーワード | 磁性半導体 / 多元化合物 / 半導体スピントロ二クス |
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| 研究成果の概要 |
InPベーススピントロ二クスを実現するために、Mn添加ZnSnAs2とIII-V半導体のヘテロ接合形成の可能性について調べた。磁性半導体を含む磁性量子ナノ構造では、InP基板に格子整合するAl0.48In0.52As, Ga0.47In0.53Asと、ZnSnAs2薄膜とMn添加ZnSnAs2薄膜とのヘテロエピタキシャルの可能性について検討し、InAlAs/ZnSnAs2:Mnの磁性量子井戸構造の作製を実証した。室温強磁性の起源を調べるために3次元アトムプローブや3次元蛍光Ｘ線ホログラフィーの測定を来ないスピノーダル分解相の可能性やAs面の揺らぎなど強磁性に影響する実験結果を得ることができた。
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