| 研究課題/領域番号 |
25390054
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 静岡大学 |
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研究代表者 |
喜多 隆介 静岡大学, 工学部, 教授 (90303528)
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| 連携研究者 |
三浦 大介 首都大学東京, 都市教養学部, 教授 (50281241)
山田 和宏 九州大学, 工学研究院, 技術職員 (90380609)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 酸化物高温超伝導体 / 薄膜 / 有機金属塗布法 / 人工ピニングセンター / 酸化物超伝導体 / 臨界電流密度 / 混晶化 / 液相 / 超伝導 / 酸化物 / ナノ構造 / ピニングセンター / 化学溶液法 |
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| 研究成果の概要 |
フッ素フリーMOD法を用いたケミカルドーピング法による超伝導薄膜形成において、Zrを5wt%添加すること及び、2ステップ熱処理により磁場中の超伝導臨界電流輸送特性が向上した。Zrを添加した超伝導薄膜中にBaZrO3ナノ粒子が形成されていることを高分解能透過型電子顕微鏡観察により確認した。超伝導薄膜を形成する希土類元素を2つ以上混晶化した(Gd,Dy)BCO、(Gd,Eu)BCO、および(Gd,Ho,Sm)BCO薄膜は、GdBCOのみと比べて高い臨界電流密度特性を示すことが分かった。また、GdBCO薄膜にHoを5mol%添加した薄膜において、臨界電流密度が向上することが分かった。
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