| 研究課題/領域番号 |
25390060
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
応用物性
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| 研究機関 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
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研究代表者 |
佐々木 史雄 国立研究開発法人産業技術総合研究所, 電子光技術研究部門, 上級主任研究員 (90222009)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 有機半導体レーザー / マイクロキャビティ / ダブルへテロ構造 / スライドボート法 / (チオフェン/フェニレン)コオリゴマー / pnドーピング / 有機EL / pn接合 / キャリアドーピング |
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| 研究成果の概要 |
電流注入型有機半導体レーザーの実現を目指して、結晶性有機半導体材料(チオフェン/フェニレン)コオリゴマー(TPCO)のダブルへテロ構造形成とそれによるEL特性向上を進める。単結晶的な有機積層膜を形成するために、無機半導体でも実績のあるスライドボート法を適用し、局所的にでも単結晶的なダブルへテロ積層構造形成可能な条件を探索する。結晶性積層膜形成条件をレーザー分光により測定・評価し、ダブルへテロ構造での光励起発振に成功した。また、注入型レーザーに必須なpn接合形成を有機半導体に対するドーピングにより行い、TPCO系有機半導体の蒸着膜での低抵抗化に成功した。
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