新規面方位制御技術を用いた非極性窒化ガリウムおよび窒化物半導体結晶の創製

• 研究課題/領域番号: 25390064
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 結晶工学
• 研究機関: 東京農工大学
• 研究代表者: 村上 尚 東京農工大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (90401455)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2015年度)
• 配分額: 5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円); 2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円); 2014年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円); 2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
• キーワード: 窒化物半導体 / 選択成長 / 半極性 / 基板加工 / 異方性エッチング / 砒化ガリウム

研究成果の概要

非極性面窒化物半導体結晶の実現を目指し、面方位の新規制御技術の確立を目的とし、GaAs基板のエッチング異方性を利用した基板加工、およびそれに続く加工基板上への窒化物半導体結晶の選択的結晶成長を試みた。
GaAs(110)基板加工および基板のエッチング条件の探索を実施し、優先的にGaAs(111)Aファセットおよび、(111)Aおよび(111)Bファセットの両方を同時形成することに成功した。InN成長において、(111)Aおよび(111)Bファセットを形成した基板上への成長を試み、成長温度による結晶成長面安定性を利用して(111)B面へ選択的に成長することに成功した。

研究成果

• [雑誌論文] Investigation of NH3 input partial pressure for N-polarity InGaN growth on GaN substrates by tri-halide vapor phase epitaxy (2016)
  • 著者名/発表者名: T. Hirasaki, T. Hasegawa, M. Meguro, Q. T. Thieu, H. Murakami, Y. Kumagai, B. Monemar, A. Koukitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 55 号: 5S ページ: 05FA01-05FA01
  • DOI: 10.7567/jjap.55.05fa01
  • 査読あり / 国際共著 / 謝辞記載あり
• [雑誌論文] High rate InN growth by two-step precursor generation hydride vapor phase epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshihiro Ishitani, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 422 ページ: 15-19
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2015.04.019
  • 査読あり / 国際共著
• [雑誌論文] Thermal stability of β-Ga2O3 in mixed flows of H2 and N2 (2015)
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi, Kazushiro Nomura1, Chihiro Eguchi, Takahiro Fukizawa, Ken Goto, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 54 号: 4 ページ: 041102-041102
  • DOI: 10.7567/jjap.54.041102
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thermodynamic study of β-Ga2O3 growth by halide vapor phase epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: .Kazushiro Nomura, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 405 号: 1 ページ: 19-22
  • DOI: 10.7567/apex.8.015503
  • 査読あり
• [雑誌論文] Growth of Thick InGaN Layers by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki, Masato Ishikawa, Fumiaki Sakuma, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 53
  • 査読あり
• [雑誌論文] Thermodynamic analysis of InGaN-HVPE growth using group-III chlorides, bromides, and iodides (2013)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki
  • 雑誌名: Physica Status Solide C 巻: 10 号: 3 ページ: 413-416
  • DOI: 10.1002/pssc.201200695
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effects of substrate nitridation and buffer layer on the crystalline improvements of semi-polar InN(10- 13) crystal on GaAs(110) by MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: H.C. Cho, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu
  • 雑誌名: Journal of Crystal Growth 巻: 367 ページ: 122-125
  • DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.12.020
  • 査読あり
• [雑誌論文] High-Temperature Heat-Treatment of c-, a-, r-, and m-Plane Sapphire Substrates in Mixed Gases of H2 and N2 (2013)
  • 著者名/発表者名: Kazushiro Nomura, Shoko Hanagata, Atsushi Kunisaki, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 8S ページ: 08JB10-08JB10
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jb10
  • 査読あり
• [雑誌論文] Effect of High NH3 Input Partial Pressure on Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN Using Nitrided (0001) Sapphire Substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi, Sho Yamamoto, K. Fredrik Karlsson, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Per-Olof Holtz, Akinori Koukitu
  • 雑誌名: Japanese Journal of Applied Physics 巻: 52 号: 8S ページ: 08JD05-08JD05
  • DOI: 10.7567/jjap.52.08jd05
  • NAID: 210000142640
  • 査読あり
• [雑誌論文] Suppression of twin formation for the growth of InN(10-1-3) on GaAs(110) by metalorganic vapor phase epitaxy (2012)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami
  • 雑誌名: Physica Status Solide C 巻: 10 号: 3 ページ: 472-475
  • DOI: 10.1002/pssc.201200685
  • 査読あり
• [学会発表] Growth of Thick InGaN and GaN by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy with high rate (2015)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 学会等名: Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
  • 発表場所: Eaton Hotel, Hong Kong
  • 年月日: 2015-12-15
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] HVPE growth of the group III nitrides (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Koukitu, Y. Kumagai, H. Murakami
  • 学会等名: 14th Akasaki Research Center Symposium
  • 発表場所: Nagoya University, Aichi, Japan
  • 年月日: 2015-11-20
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Influence of NH3 input partial pressure on N-polarity InGaN growth by tri-halide vapor phase epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
  • 学会等名: 6th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-6)
  • 発表場所: Act City Hamamatsu, Shizuoka, Japan
  • 年月日: 2015-11-10
  • 国際学会
• [学会発表] Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy of Thick GaN and InGaN Layers (2015)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
  • 学会等名: 9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
  • 発表場所: Hansol Oak Valley, Wonju, Korea
  • 年月日: 2015-11-04
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] Thick (>10 μm) and High Crystalline Quality InGaN Growth on GaN(000-1) Substrate by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Quang Tu Thieu, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar, Akinori Koukitu
  • 学会等名: 9th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-IX)
  • 発表場所: Hansol Oak Valley, Wonju, Korea
  • 年月日: 2015-11-04
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] トリハライド気相成長法によるIn組成5%のInGaN厚膜(>10μm)成長 (2015)
  • 著者名/発表者名: 目黒 美佐稀、平﨑 貴英、長谷川 智康、ティユ クァン トゥ、村上 尚、熊谷 義直、Bo Monemar、纐纈 明伯
  • 学会等名: 第4回結晶工学未来塾
  • 発表場所: 東京農工大学(東京都小金井市)
  • 年月日: 2015-10-29
• [学会発表] Effect of NH3 Input Partial Pressure on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Misaki Meguro, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
  • 年月日: 2015-07-16
• [学会発表] Dependences of input InCl3 ratio and growth temperature in InGaN growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: Misaki Meguro, Takahide Hirasaki, Tomoyasu Hasegawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Bo Monemar and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 34th Electronic Materials Symposium (EMS-34)
  • 発表場所: ラフォーレ琵琶湖(滋賀県守山市)
  • 年月日: 2015-07-15
• [学会発表] Growth of GaN and InGaN thick epitaxial layers by tri-halide vapor phase epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Takahide Hirasaki, Quang Tu Thieu, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Kou Matsumoto, Akinori Koukitu
  • 学会等名: Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices
  • 発表場所: Kyoto University, Kyoto, Japan
  • 年月日: 2015-07-13
  • 国際学会 / 招待講演
• [学会発表] トリハライド気相成長法を用いたInGaN成長におけるNH3供給分圧の影響 (2015)
  • 著者名/発表者名: 平崎貴英，長谷川智康，目黒美佐稀，村上尚，熊谷義直，Bo Monemar，纐纈明伯
  • 学会等名: 日本結晶成長学会ナノ構造・エピタキシャル成長分科会第7回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 東北大学片平キャンパス(宮城県仙台市)
  • 年月日: 2015-05-08
• [学会発表] Growth of GaN on r-plane sapphire substrate by tri-halide vapor phase epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: A. Shiono, N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15)
  • 発表場所: Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
  • 年月日: 2015-04-23
  • 国際学会
• [学会発表] Calculation of thermochemical data for the growth of III-nitrides by vapor phase epitaxy (2015)
  • 著者名/発表者名: N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application '15 (LEDIA '15)
  • 発表場所: Pacifico Yokohama, Kanagawa, Japan
  • 年月日: 2015-04-23
  • 国際学会
• [学会発表] III-Cl・III-Cl3混在ハライド気相成長によるIII族窒化物特異構造の形成 (2015)
  • 著者名/発表者名: 熊谷義直，富樫理恵，ティユ クァン トゥ，村上尚，Bo Monemar，纐纈明伯
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
  • 年月日: 2015-03-14
  • 招待講演
• [学会発表] 水素・窒素気流中におけるβ-Ga2O3の熱的安定性の熱力学的検討 (2015)
  • 著者名/発表者名: 富樫理恵，野村一城，江口千尋，蕗澤孝紘，後藤健，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
  • 年月日: 2015-03-13
• [学会発表] ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3基板上ホモエピタキシャル成長 (2015)
  • 著者名/発表者名: 野村一城，後藤健，佐々木公平，河原克明，ティユ クァン トゥ，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，東脇正高，倉又朗人，山腰茂伸，Bo Monemar，纐纈明伯
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 東海大学湘南キャンパス, 神奈川県
  • 年月日: 2015-03-13
• [学会発表] High-purity and highly-transparent AlN bulk crystal growth for UVC LED application by HVPE (2015)
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Rie Togashi, Reo Yamamoto, Baxter Moody, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
  • 学会等名: 2015 Photonics West
  • 発表場所: San Francisco, California, U.S.A.
  • 年月日: 2015-02-09
  • 招待講演
• [学会発表] Temperature Dependence of InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: T. Hirasaki, Y. Watanabe, T. Hasegawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-16
• [学会発表] Theoretical calculation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides (2014)
  • 著者名/発表者名: N. Takekawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-16
• [学会発表] Homoepitaxial Growth of ZnO Thin Layers by Halide Vapor Phase Epitaxy using Hydrogen- Free Sources (2014)
  • 著者名/発表者名: Rintaro Asakawa, Naoto Kanzaki, Song-Yun Kan, Akihiko Hiroe, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi,Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-15
• [学会発表] Thermal stability of Ga2O3 in mixed gases of H2 and N2 (2014)
  • 著者名/発表者名: R. Togashi, K. Nomura, C. Eguchi, T. Fukizawa, K. Goto, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Kuramata, S. Yamakoshi, A. Koukitu
  • 学会等名: 10th International Symposium on Semiconductor Light Emitting Devices (ISSLED 2014)
  • 発表場所: Kaohsiung, Taiwan
  • 年月日: 2014-12-15
• [学会発表] Homo-Epitaxial Growth of High-Purity Films of β-Ga2O3 and ZnO by Halide Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai, Rie Togashi, Hisashi Murakami and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
  • 発表場所: Boston, Massachusetts, U.S.A
  • 年月日: 2014-12-01
  • 招待講演
• [学会発表] Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 Films on (001) β-Ga2O3 Substrate (2014)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Kazushiro Nomura, Ken Goto, Katsuaki Kawara, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
  • 発表場所: Boston, Massachusetts, U.S.A
  • 年月日: 2014-12-01
• [学会発表] Thermodynamic Analysis on Halide Vapor Phase Epitaxy of β-Ga2O3 (2014)
  • 著者名/発表者名: Kazushiro Nomura, Ken Goto, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Akito Kuramata, Shigenobu Yamakoshi and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 2014 MRS Fall Meeting and Exhibit
  • 発表場所: Boston, Massachusetts, U.S.A
  • 年月日: 2014-12-01
• [学会発表] トリハライド気相成長法によるInGaN成長における成長温度の影響 (2014)
  • 著者名/発表者名: 長谷川智康，平崎貴英，渡辺雄太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-13
• [学会発表] HVPE法によるAlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN成長の検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 田中凌平，東城俊介，額賀俊成，富樫理恵，永島徹，木下亨，Baxter Moody， 村上尚，Ramon Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-13
• [学会発表] 窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への前駆体二段階生成HVPE法による高速InN成長 (2014)
  • 著者名/発表者名: 小島千恵，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-13
• [学会発表] GaCl-O2系HVPE法によるβ-Ga2O3成長の熱力学解析 (2014)
  • 著者名/発表者名: 野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-13
• [学会発表] 水素・窒素雰囲気下におけるIII族酸化物基板安定性の熱力学的調査 (2014)
  • 著者名/発表者名: 江口千尋，蕗澤孝紘，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，倉又朗人，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-13
• [学会発表] ハライド気相成長法によるβ-Ga2O3のホモエピタキシャル成長 (2014)
  • 著者名/発表者名: 河原克明，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • 学会等名: 応用物理学会第3回結晶工学未来塾（2014）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-13
• [学会発表] 水素・窒素雰囲気下におけるGa2O3分解の検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 富樫理恵，野村一城，江口千尋，蕗澤孝紘，後藤健，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • 学会等名: 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-07
• [学会発表] HVPE法を用いたβ-Ga2O3結晶成長の熱力学解析 (2014)
  • 著者名/発表者名: 野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • 学会等名: 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-07
• [学会発表] 淺川倫太郎，神崎直人，林田真由子，廣江昭彦， 康松潤，富樫理恵，村上尚，柏木勇作，熊谷義直，纐纈明伯 (2014)
  • 著者名/発表者名: 一酸化窒素を用いた常圧CVD法によるZnO:N薄膜の成長
  • 学会等名: 第44回結晶成長国内会議（NCCG-44）
  • 発表場所: 学習院大学, 東京都
  • 年月日: 2014-11-07
• [学会発表] ハライド気相成長法による酸化ガリウム成長の熱力学解析 (2014)
  • 著者名/発表者名: 野村一城，後藤 健，富樫理恵，村上 尚，熊谷義直，倉又朗人，山腰茂伸，纐纈明伯
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学, 北海道
  • 年月日: 2014-09-19
• [学会発表] AlNのHVPE高温ホモエピタキシャル成長における基板昇降温時表面劣化の原因 (2014)
  • 著者名/発表者名: 東城俊介，田中凌平，額賀俊成，富樫理恵，永島 徹，木下 亨，Baxter Moody， 村上 尚, Ramon Collazo，熊谷義直，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学, 北海道
  • 年月日: 2014-09-17
• [学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法による窒化イットリア安定化ジルコニア(111)基板上への高速InN成長 (2014)
  • 著者名/発表者名: 小島千恵，富樫理恵，村上 尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第75回応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 北海道大学, 北海道
  • 年月日: 2014-09-17
• [学会発表] Thermal Stability of Group-III Oxides in Mixed Flows of H2 and N2 for Growth of Group-III Nitrides (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Eguchi, T. Fukizawa, K. Nomura, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai and A. Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • 発表場所: WROCLAW, Poland
  • 年月日: 2014-08-27
• [学会発表] Growth of AlN by hydride vapor phase epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • 発表場所: WROCLAW, Poland
  • 年月日: 2014-08-26
  • 招待講演
• [学会発表] Growth of Si-doped AlN Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: R. Tanaka, S. Tojo, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • 発表場所: WROCLAW, Poland
  • 年月日: 2014-08-26
• [学会発表] Investigation of Ambient Gas after High-Temperature Growth of AlN by Hydride Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: S. Tojo, R. Tanaka, T. Nukaga, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, R. Togashi, H. Murakami, R. Collazo, Y. Kumagai, A. Koukitu and Z. Sitar
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • 発表場所: WROCLAW, Poland
  • 年月日: 2014-08-26
• [学会発表] Selective Nucleation of Semi-Polar InN on Patterned GaAs(110) Substrate by MOVPE (2014)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Yusuke Kitai, Thieu Quan Tu, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • 発表場所: WROCLAW, Poland
  • 年月日: 2014-08-26
• [学会発表] High-Speed Hydride Vapor Phase Epitaxy of InN on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) substrates (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Kojima, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai and A. Koukitu
  • 学会等名: International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2014)
  • 発表場所: WROCLAW, Poland
  • 年月日: 2014-08-25
• [学会発表] HVPE法によるAlN単結晶自立基板の作製とそのデバイス応用 (2014)
  • 著者名/発表者名: 熊谷義直, 永島徹, 木下亨, 村上尚, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学, 愛知県
  • 年月日: 2014-07-15
  • 招待講演
• [学会発表] 第一原理計算と統計力学を用いたIII族窒化物の成長における熱化学データの算出 (2014)
  • 著者名/発表者名: 竹川直，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学, 愛知県
  • 年月日: 2014-07-15
• [学会発表] III族酸化物単結晶基板の水素・窒素雰囲気下分解の熱力学解析 (2014)
  • 著者名/発表者名: 江口千尋, 蕗澤孝紘, 野村一城, 後藤健, 富樫理恵, 村上尚, 倉又朗人, 熊谷義直, 纐纈明伯
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学, 愛知県
  • 年月日: 2014-07-15
• [学会発表] AlN 高温HVPE成長における基板昇降温プロセスが表面に与える影響 (2014)
  • 著者名/発表者名: 東城俊介, 田中凌平, 額賀俊成, 富樫理恵, 永島徹, 木下亨, Baxter Moody, 村上尚, Ramon Collazo, 熊谷義直, 纐纈明伯, Zlatko Sitar
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学, 愛知県
  • 年月日: 2014-07-15
• [学会発表] AlN/sapphireテンプレート上へのSiドープAlN層のHVPE成長の検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 田中凌平, 東城俊介, 額賀俊成, 富樫理恵, 永島徹, 木下亨, Baxter Moody, 村上尚, Ramon Collazo, 熊谷義直, 纐纈明伯, Zlatko Sitar
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学, 愛知県
  • 年月日: 2014-07-15
• [学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法による高速・高温InN成長 (2014)
  • 著者名/発表者名: 富樫理恵, 小島千恵，藤田直人，斉藤広伸，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学, 愛知県
  • 年月日: 2014-07-15
• [学会発表] トリハライド気相成長法を用いたr面サファイヤ基板上へのGaN成長 (2014)
  • 著者名/発表者名: 塩野杏奈，竹川直，藤村侑，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第6回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 名城大学, 愛知県
  • 年月日: 2014-07-15
• [学会発表] Influence of Growth Temperature on InGaN Growth by Tri-Halide Vapor Phase Epitaxy (2014)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki, Yuta Watanabe, Masato Ishikawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺, 静岡県
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] Theoretical investigation of the influence of surface orientation on In-incorporation during InGaN growth using THVPE (2014)
  • 著者名/発表者名: Yu Fujimura, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺, 静岡県
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] Selective growth of InN on patterned GaAs(110) substrate by MOVPE (2014)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Yusuke Kitai, Thieu Quan Tu, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺, 静岡県
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] Estimation of thermochemical data for the growth of group-III nitrides by the combination of first principles and statistical thermodynamic (2014)
  • 著者名/発表者名: Nao Takekawa, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 33rd Electronic Materials Symposium (EMS-33)
  • 発表場所: ラフォーレ修善寺, 静岡県
  • 年月日: 2014-07-10
• [学会発表] Temperature Dependence of InN Growth on Nitrided Yttria-Stabilized Zirconia (111) Substrates Using a Novel HVPE System (2014)
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi, Chie Kojima, Naoto Fujita, Hironobu Saito, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
  • 発表場所: Atlanta, Georgia, U.S.A.
  • 年月日: 2014-05-20
• [学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy and Doping of AlN (2014)
  • 著者名/発表者名: Yoshinao Kumagai, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Ramon Collazo, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
  • 学会等名: 5th International Symposium on Growth of III-Nitrides (ISGN-5)
  • 発表場所: Atlanta, Georgia, U.S.A.
  • 年月日: 2014-05-19
  • 招待講演
• [学会発表] Growth of homoepitaxial ZnO thin layers by halide vapor phase epitaxy using non-hydrogenous sources (2014)
  • 著者名/発表者名: Rintaro Asakawa, Yuta Isa, Naoto Kanzaki, Song-Yun Kang, Akihiko Hiroe, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yusaku Kashiwagi, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川県
  • 年月日: 2014-04-24
• [学会発表] Thermal stability of β-Ga2O3 substrates in mixed flows of H2 and N2 (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Eguchi, T. Fukizawa, S. Hanagata, K. Nomura, K. Goto, R. Togashi, H. Murakami, A. Kuramata, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川県
  • 年月日: 2014-04-24
• [学会発表] High-speed InN growth on yttria-stabilized zirconia (111) substrates by a two-step precursor generation HVPE system (2014)
  • 著者名/発表者名: C. Kojima, R. Togashi, R. Imai, N. Fujita, H. Saito, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川県
  • 年月日: 2014-04-24
• [学会発表] Surface orientation dependence of the In-incorporation of THVPE-grown InGaN studied by first principles and statistical thermodynamics (2014)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Yu Fujimura, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’14 (LEDIA ’14)
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川県
  • 年月日: 2014-04-23
• [学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法により作製したInN成長層の特性評価 (2014)
  • 著者名/発表者名: 富樫理恵, 斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] InGaN成長におけるIn取り込みの面方位依存性の理論検討 (2014)
  • 著者名/発表者名: 藤村侑, 村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 青山学院大学相模原キャンパス, 神奈川県
• [学会発表] Growth of Semi-polar InN Layers on GaAs(311)A and (311)B by MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, and Akinori Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川県
• [学会発表] High-Speed Growth of In- and N-polarity InN Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Togashi, N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川県
• [学会発表] High-Speed Growth of InN over 10 μm/h by a Novel HVPE System (2013)
  • 著者名/発表者名: N. Fujita, R. Imai, H. Saito, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川県
• [学会発表] Deep-UV Transparent AlN Substrates Prepared by HVPE for UV-C LED Applications (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
  • 学会等名: Conference on LED and Its Industrial Application ’13 (LEDIA ’13)
  • 発表場所: パシフィコ横浜, 神奈川県
• [学会発表] Semi-polar growth of InN on GaAs(11n) substrate by MOVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Rie Togashi, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 学会等名: 2013 Collaborative Conference on Crystal Growth (3CG)
  • 発表場所: Cancun, Mexico
  • 招待講演
• [学会発表] 三塩化ガリウムを用いたGaN高温厚膜成長 (2013)
  • 著者名/発表者名: 村上尚，宮崎智成，富樫理恵，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 大阪府
• [学会発表] HVPE法による深紫外光透過性を有する高品質AlNの成長 (2013)
  • 著者名/発表者名: 額賀俊成，坂巻龍之介，久保田有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，J. Xie，村上尚，熊谷義直， 纐纈明伯，Z. Sitar
  • 学会等名: 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 大阪府
• [学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるInNの高速成長の実現 (2013)
  • 著者名/発表者名: 藤田直人，斉藤広伸，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 大阪府
• [学会発表] 前駆体二段階生成HVPE装置を用いたIn極性およびN極性InN成長の比較検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 斉藤広伸，藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 大阪府
• [学会発表] GaAs(11n)基板上半極性InN成長の温度依存性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 北井佑典，佐久間文昭，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第5回窒化物半導体結晶成長講演会
  • 発表場所: 大阪大学, 大阪府
• [学会発表] Comparative Study on High-Speed InN Growth in Both In- and N-Polarities Using a Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System (2013)
  • 著者名/発表者名: Rie Togashi, Naoto Fujita, Ryota Imai, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington, D.C., U.S.A.
• [学会発表] Temperature Dependence of InN Growth by a Novel HVPE System with Two-Step Generation of InCl3 (2013)
  • 著者名/発表者名: Naoto Fujita, Ryota Imai, Rie Togashi, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai and Akinori Koukitu
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington, D.C., U.S.A.
• [学会発表] Influence of Growth Temperature on Homo-Epitaxial Growth of AlN by HVPE on PVT-AlN Substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: Toshinari Nukaga, Ryunosuke Sakamaki, Yuki Kubota, Toru Nagashima, Toru Kinoshita, Baxter Moody, Jinqiao Xie, Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu and Zlatko Sitar
  • 学会等名: 10th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-10)
  • 発表場所: Washington, D.C., U.S.A.
• [学会発表] 高温下におけるβ-Ga2O3 (010)基板表面安定性の検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 蕗澤孝紘, 江口千尋，花形祥子，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，倉又朗人，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
• [学会発表] ハライド気相成長法によるZnO薄膜成長の酸素源の検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 神崎直人, 伊佐雄太，康松潤，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，柏木勇作，纐纈明伯
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
• [学会発表] Preparation of a Freestanding AlN Substrate from a Thick AlN Layer Grown by Hydride Vapor Phase Epitaxy on a Bulk AlN Substrate Prepared by Physical Vapor Transport (2013)
  • 著者名/発表者名: 熊谷義直, 久保田有紀，永島徹，木下亨，Rafael Dalmau，Raoul Schlesser，Baxter Moody， Jinqiao Xie，村上尚，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
  • 招待講演
• [学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn極性およびN極性InNの高速成長 (2013)
  • 著者名/発表者名: 斉藤広伸, 藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第74回応用物理学会学術講演会
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
• [学会発表] High temperature growth of thick GaN using GaCl3-NH3 system (2013)
  • 著者名/発表者名: Hisashi Murakami, Yoshinao Kumagai, Akinori Koukitu
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
  • 招待講演
• [学会発表] Demonstration of high-speed growth of InN by HVPE with a two-step precursor generation scheme (2013)
  • 著者名/発表者名: Naoto Fujita, R. Imai, R. Togashi, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
• [学会発表] Dependence of InGaN-HVPE growth on group-III input partial pressure (2013)
  • 著者名/発表者名: Takahide Hirasaki, M. Ishikawa, H. Murakami, Y. Kumagai, and A. Koukitu
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
• [学会発表] Growth of high quality AlN with deep-UV transparency by HVPE (2013)
  • 著者名/発表者名: Toshinari Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, and Z. Sitar
  • 学会等名: 2013 JSAP-MRS Joint Symposia
  • 発表場所: 同志社大学京田辺キャンパス, 京都府
• [学会発表] Influence of growth parameters on homo-epitaxial growth of thick AlN layers by HVPE on PVT-AlN substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: Y. Kumagai, T. Nukaga, R. Sakamaki, Y. Kubota, T. Nagashima, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, A. Koukitu, and Z. Sitar
  • 学会等名: 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
  • 発表場所: Seeon, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] Properties of homoepitaxial AlN layers grown by HVPE on PVT-AlN substrates (2013)
  • 著者名/発表者名: T. Nagashima , Y. Kubota, R. Okayama, T. Kinoshita, B. Moody, J. Xie, H. Murakami, Y. Kumagai, A. Koukitu, R. Collazo, and Z. Sitar
  • 学会等名: 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
  • 発表場所: Seeon, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] High speed and high temperature growth of GaN by HVPE using GaCl3 as group III-precursor (2013)
  • 著者名/発表者名: H. Murakami ,Y. Kumagai,and A. Koukitu
  • 学会等名: 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
  • 発表場所: Seeon, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] High-Speed InN Growth Using a Novel Two-Stage Source Generation Hydride Vapor Phase Epitaxy System (2013)
  • 著者名/発表者名: R. Togashi , N. Fujita, R. Imai, H. Murakami, Y. Kumagai,and A. Koukitu
  • 学会等名: 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
  • 発表場所: Seeon, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] Hydride Vapor Phase Epitaxy of InGaN (2013)
  • 著者名/発表者名: A. Koukitu ,T. Hirasaki, H. Murakami and Y. Kumagai
  • 学会等名: 8th International Workshop on Bulk Nitride Semiconductors (IWBNS-VIII)
  • 発表場所: Seeon, Germany
  • 招待講演
• [学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるInN成長の温度依存性 (2013)
  • 著者名/発表者名: 藤田直人, 斉藤広伸，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
  • 発表場所: 長野市生涯学習センター, 長野県
• [学会発表] 前駆体二段階生成HVPE法によるIn, N各極性InN高速成長の比較検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 斉藤広伸, 藤田直人，今井亮太，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
  • 発表場所: 長野市生涯学習センター, 長野県
• [学会発表] HVPE炉内高温雰囲気下におけるAlN単結晶表面の劣化 (2013)
  • 著者名/発表者名: 坂巻龍之介, 額賀俊成，平連有紀，永島徹，木下亨，Baxter Moody，村上尚， R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Zlatko Sitar
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
  • 発表場所: 長野市生涯学習センター, 長野県
• [学会発表] 水素・窒素雰囲気下におけるβ-Ga2O3 (010)基板表面安定性の検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 蕗澤孝紘, 江口千尋，花形祥子，野村一城，後藤健，富樫理恵，村上尚，倉又朗人，熊谷義直，纐纈明伯
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
  • 発表場所: 長野市生涯学習センター, 長野県
• [学会発表] 酸化亜鉛HVPEホモエピタキシャル成長のVI族源の比較検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 神崎直人, 伊佐雄太，康松潤，富樫理恵，村上尚，熊谷義直，柏木勇作，纐纈明伯
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
  • 発表場所: 長野市生涯学習センター, 長野県
• [学会発表] HVPE法によるPVT-AlN基板上ホモエピタキシャル成長における成長速度増加の検討 (2013)
  • 著者名/発表者名: 額賀俊成, 坂巻龍之介，平連有紀，永島徹，木下亨，B. Moody，村上尚, R. Collazo，熊谷義直，纐纈明伯，Z. Sitar
  • 学会等名: 第43回結晶成長国内会議（NCCG-43）
  • 発表場所: 長野市生涯学習センター, 長野県
• [産業財産権] 窒化物半導体結晶、製造方法および製造装置 (2013)
  • 発明者名: 纐纈明伯、熊谷義直、村上 尚
  • 権利者名: 纐纈明伯、熊谷義直、村上 尚
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2013-188805
  • 出願年月日: 2013-09-11
• [産業財産権] β-Ga2O3系単結晶膜の成長方法、及び結晶積層構造体 (2013)
  • 発明者名: 纐纈明伯、熊谷義直、村上 尚、後藤 健、佐々木公平
  • 権利者名: 纐纈明伯、熊谷義直、村上 尚、後藤 健、佐々木公平
  • 産業財産権種類: 特許
  • 産業財産権番号: 2013-203198
  • 出願年月日: 2013-09-30