| 研究課題/領域番号 |
25390065
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
中川 清和 山梨大学, 総合研究部, 教授 (40324181)
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| 研究分担者 |
山中 淳二 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (20293441)
佐藤 哲也 山梨大学, 大学院総合研究部, 准教授 (60252011)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2014年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
2013年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | GeSiヘテロ構造 / ラジカル水素加熱 / GeチャネルFET / Ge/Siヘテロ構造 / Ge/Si基板ヘテロ構造 / 水素ラジカル加熱 |
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| 研究成果の概要 |
分子線成長を用いてSi(100)基板上に基板温度300℃でGeを300 nm成長し、平坦かつ単結晶のGe/Siヘテロ構造を形成した。透過電子顕微鏡によりGeとSiの格子不整合に伴う多量の転位が観測された。
ヘテロ構造上にCVD法によりSiO2膜を300℃で100 nm堆積し、Ge蒸発防止膜を形成し、その上にWを100 nm堆積して、Wを熱源とした加熱を行い、透過電子顕微鏡観察を行った結果、800℃、700℃での0.2秒程度の加熱では、GeとSiのミキシングが生じず、また貫通転位密度を10分の1程度に減少できた。この基板上にp-MOSFETを作製し、正孔移動度380 cm2/V・sを確認した。
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