| 研究課題/領域番号 |
25390071
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
結晶工学
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| 研究機関 | 工学院大学 (2015)
東京工業高等専門学校 (2013-2014) |
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研究代表者 |
尾沼 猛儀 工学院大学, 公私立大学の部局等, 准教授 (10375420)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 2,730千円 (直接経費: 2,100千円、間接経費: 630千円)
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| キーワード | 窒化物半導体 / 酸化ガリウム / 酸化インジウムガリウム / ヘテロ構造 / 表面酸化膜 / 界面 / 時間分解フォトルミネセンス / 表面プラズモン / 窒化ガリウムインジウム / 半導体光物性 / 偏光依存性 / 窒化ガリウム / ショットキー / カソードルミネセンス / 半導体物性 / 結晶工学 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、窒化物半導体光・電子素子の特性を議論する上で、欠かすことのできない表面・界面における再結合過程に注目した。AlGaN/GaN系電子素子において、AlGaNの表面状態の制御は重要な課題である。そこで、AlOx薄膜の有無、成長条件の違いが、AlN/GaNヘテロ構造の発光特性に与える影響を調査した。2DEG関連の発光エネルギー、発光寿命の変化から、AlOx構造により表面状態のコントロールが可能であることを示した。酸化膜の調査と並行して、酸化ガリウムそのものの特性を調査した。また、Ag分散ZnO薄膜をGaInN系青色LED上へ堆積し表面プラズモンの効果を検討した。
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