| 研究課題/領域番号 |
25390074
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 筑波大学 |
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研究代表者 |
近藤 剛弘 筑波大学, 数理物質系, 准教授 (70373305)
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| 連携研究者 |
中村 潤児 筑波大学, 数理物質系, 教授 (40227905)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | グラファイト / グラフェン / ランダウ準位 / 走査トンネル分光 / 擬磁場 / 表面・界面物性 / 走査プローブ顕微鏡 / 窒素ドープ / 走査プローブ分光 / 表面界面物性 |
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| 研究成果の概要 |
研究目的であった平坦なグラファイト表面における無磁場下でのランダウ準位の発生メカニズムについて新しい実験結果を得て解明に至りました。具体的には、窒素原子をドープしたグラファイトの原子レベルで平坦な表面において、無磁場下にもかかわらず約100テスラもの超高磁場を2層グラフェンに垂直に印加した場合に相当するランダウ準位が出現すること、及びこれがドメインモデルというモデルで理解できることを明らかにしました。
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