| 研究課題/領域番号 |
25390075
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
小倉 正平 東京大学, 生産技術研究所, 助教 (10396905)
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| 連携研究者 |
福谷 克之 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (10228900)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 2,860千円 (直接経費: 2,200千円、間接経費: 660千円)
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| キーワード | 水素 / スピン偏極 / 磁性 / 表面・界面物性 / 表面磁性 |
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| 研究成果の概要 |
本研究ではスピン偏極水素原子ビームを利用してAg(111)上の物理吸着酸素分子層の表面磁気秩序を明らかにすることを目的とした．水素分子ビームの高強度化，磁石や質量分析器の位置制御機構の作成，多光子共鳴イオン化法による水素分子ビームの速度測定，水素分子ビームの散乱角度分解測定などを行った．水素原子ビームの強度が低く，目的としていた表面磁気秩序の解明までには至らなかったが，個々の部分については本研究により完成したので今後水素原子ビームの高強度化ができれば上記の目的を達成できると考える．
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