研究課題
基盤研究(C)
本研究では、近年、様々な電子デバイス材料として実用が進んでいるAlGaN半導体を用いて、高感度真空紫外光検出器の開発を行った。実験では、AlGaN材料によるショットキー型ダイオードを作製し各種電気特性や紫外領域での光感度を評価した。その結果、従来のセンサに比べて紫外領域に高い感度を持つ素子の開発に成功した。また、今後のさらなる感度向上のための方策を示すことができた。本研究によって、液体アルゴン三次元飛跡測定器など、素粒子実験分野で用いられる測定器での新しい紫外光検出技術の基礎が築かれた。
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