| 研究課題/領域番号 |
25400321
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東京大学 (2015-2017)
山梨大学 (2013-2014) |
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研究代表者 |
川村 隆明 東京大学, 生産技術研究所, シニア協力員 (20111776)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2018-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2017年度)
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| 配分額 *注記 |
4,420千円 (直接経費: 3,400千円、間接経費: 1,020千円)
2016年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | 位相回復法 / 反射電子回折 / エピタキシャル成長 / 表面モフォロジー / その場観察 / 反射電子回折(RHEED) / 摂動法 / 反射電子回折（RHEED） / 反射電子兼備鏡法 / 結晶成長 / テンソル法 / 位相回復 / 反射電子顕微法 |
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| 研究成果の概要 |
X線や電子線などの回折強度から結晶内の原子配列を決める上での基本的問題である位相問題を解決する方法の一つであるオーバー・サンプリング法を反射電子回折に適用し、分子線エピタキシー成長法などの結晶成長中の結晶表面の形態を“その場”で観察する手法を開発した。この手法により、１原子層が成長する途中に形成される原子が集合した島の形態、すなわち、島の大きさ、形状、分布などを、その場で観察し制御することが可能になった。
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