| 研究課題/領域番号 |
25400330
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
萱沼 洋輔 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 特任教授 (80124569)
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| 研究分担者 |
中村 一隆 東京工業大学, 応用セラミックス研究所, 准教授 (20302979)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,680千円 (直接経費: 3,600千円、間接経費: 1,080千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | バンドギャップ変調 / 動的局在 / コヒーレント制御 / 位相干渉効果 / 過渡反射スペクトル / 位相ロック２連パルス / ディラック円錐 / ブロッホ状態 / 外場駆動 / バンドギャップ制御 / ディラック電子 / 冷却原子 / バルク固体 |
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| 研究成果の概要 |
結晶の周期ポテンシャル中における電子状態であるブロッホ電子に空間的に一様で時間的に周期性を有する振動外場（光）を印加した時に生じる特徴的な量子状態とその時間的応答を明らかにした。振動外場の振幅と振動数の比を適切に選ぶことで、ブロッホバンドのバンドギャップを消失させることができる。この原理を応用して、ギャップを有する２バンド系での電子のブロッホ・ゼナートンネリングの制御を示した。また単層グラフェンなどのディラック円錐バンドの形態を電磁場により変形できることを見出した。
超短パルス照射によるコヒーレントフォノンを利用することにより、バルク結晶の電子コヒーレンスの制御・観測のための理論を構築した。
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