| 研究課題/領域番号 |
25400357
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
物性Ⅱ
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| 研究機関 | 首都大学東京 (2015)
東京大学 (2013-2014) |
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研究代表者 |
上田 和夫 首都大学東京, 理工学研究科, 教授 (70114395)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 強相関電子系 / 量子相転移 / 金属絶縁体転移 / ディラック電子 / スピンギャップ / 反強磁性 |
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| 研究成果の概要 |
CaV4O9型格子は正方格子から格子点を周期的に1/5欠損させた格子で単位胞に4個の格子点を含む多軌道系である．この格子上を運動する電子系に対するハバード模型は金属絶縁体転移，磁気相転移等が絡み合った多様な量子相転移を示すことを明らかにした．電子数がサイトあたり1/2 である場合の基底状態相図については平均場近似を用い，電子数がサイト当たり1個の場合の量子相転移についてはクラスター動的平均場近似(DMFT)を用いて研究を進めた。最近脚光を浴びているFeSiおよび FeGeを念頭に、多軌道ハバード模型における金属絶縁体転移に伴う磁性の出現という観点でその特徴を明らかにした。
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