| 研究課題/領域番号 |
25400530
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
プラズマ科学
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| 研究機関 | 茨城大学 |
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研究代表者 |
池畑 隆 茨城大学, 理工学研究科, 教授 (00159641)
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| 研究協力者 |
佐藤 直幸
鵜殿 治彦
東 欣吾
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 390千円 (直接経費: 300千円、間接経費: 90千円)
2014年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2013年度: 3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
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| キーワード | マグネシウムシリサイド / 熱電半導体 / 薄膜 / 固相合成 / 熱処理 / スパッタリング / 結晶構造 / 高周波プラズマ / 水素還元 / 希ガス雰囲気中アニール処理 / 近赤外分光透過率 / ラマンスペクトル |
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| 研究成果の概要 |
地球温暖化や資源の有効利用の観点から、熱エネルギーを電気エネルギーに変換する熱電変換技術が注目されている。マグネシウムシリサイドMg2Si は無害で資源豊富な点で有望であるが，マグネシウムとシリコンの物性の違いから良質のMg2Si膜を合成することが難しい課題があった。また従来単結晶シリコンのみが基板として利用された。筆者らは、Si/Mg逐次堆積と希ガス中アニール処理を組み合わせて、良質の多結晶Mg2Si膜を単結晶サファイア基板上に合成することに初めて成功した。また、予備的ながら、高周波プラズマアシスト処理により合成最低温度が300℃から約250℃まで低下するデータを得た。
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