| 研究課題/領域番号 |
25410075
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機化学
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| 研究機関 | 東京理科大学 |
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研究代表者 |
山田 康洋 東京理科大学, 理学部, 教授 (20251407)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 650千円 (直接経費: 500千円、間接経費: 150千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 3,380千円 (直接経費: 2,600千円、間接経費: 780千円)
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| キーワード | 窒化鉄 / 薄膜 / レーザー蒸着 / メスバウアー分光法 / 磁性 / ネール点 / 格子欠陥 / 岩塩型窒化鉄 |
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| 研究成果の概要 |
パルスレーザー蒸着法を用い、様々な窒素圧力・基板温度において実験を行った結果、純粋なγ’’’-FeN薄膜を生成することに成功した。しかし、当初得られた試料の低温6 Kメスバウアースペクトルには、50 T に内部磁場を持つ成分が格子欠陥として得られた。さらに高温の773 Kで薄膜生成を行うことによって、格子欠陥のない薄膜の生成に成功した。γ’’’-FeNの内部磁場の温度変化を測定することによって、ネール点が230 Kであることが明らかとなった。
本研究によってγ’’’-FeNのみの薄膜の生成が初めて示され、さらに格子欠陥のないγ’’’-FeNの磁性に関する知見を得ることが可能となった。
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