| 研究課題/領域番号 |
25410080
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機化学
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| 研究機関 | 日本工業大学 (2015)
独立行政法人理化学研究所 (2013-2014) |
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研究代表者 |
大澤 正久 日本工業大学, 工学部, 教授 (80280717)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,160千円 (直接経費: 3,200千円、間接経費: 960千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| キーワード | 遅延蛍光 / 銅一価錯体 / 有機EL / 発光量子収率 / 貨幣金属錯体 / 三重項励起状態 / 一重項励起状態 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、高効率有機ELのための発光材料として熱活性型遅延蛍光を示す銅一価錯体を合成することを目的とし、その発光プロセスの検討を行った。その結果、これまで四面体構造を有した銅一価錯体において、「金属→配位子」の遷移が不可欠と考えられていた遅延蛍光を「配位子→配位子」の遷移を利用することでも達成できることを明らかにした。さらにこの手法を用いて、ほぼ量子収率100%を示す三配位銅一価錯体の合成に成功した。
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