| 研究課題/領域番号 |
25420070
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
生産工学・加工学
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| 研究機関 | 金沢工業大学 |
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研究代表者 |
畝田 道雄 金沢工業大学, 工学部, 教授 (00298324)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
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| キーワード | サファイア / 研磨・CMP / スラリー流れ場 / 研磨能率 / 研磨条件 / 電界印加 / 研磨レート / CMP |
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| 研究成果の概要 |
本研究では，低消費電力化を背景にLED需要が増加する中，基板材料となるサファイアの高能率研磨加工システムを開発する．このとき，研磨液（スラリー）流れ場の定量評価手法を積極的に利用して，研磨条件がスラリー流れ場に及ぼす影響，並びにその流れ場と研磨特性との相関を解明し，最適な粘度と濡れ性を有するスラリーを明らかにする．さらに，スラリーへの電界制御印加による流れ場制御を検証し，電界印加に対し効果的な運動特性を示すスラリーの解明も含めた最適化を図り，高能率研磨加工の実現を目指す．その結果，電界印加によってスラリー挙動の制御に成功し，汎用研磨装置で適用可能な条件で約3倍の研磨能率向上を達成した．
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