研究課題/領域番号 |
25420073
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研究種目 |
基盤研究(C)
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配分区分 | 基金 |
応募区分 | 一般 |
研究分野 |
生産工学・加工学
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研究機関 | 愛知工業大学 |
研究代表者 |
松室 昭仁 愛知工業大学, 工学部, 教授 (80173889)
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研究分担者 |
高木 誠 愛知工業大学, 工学部, 教授 (40288428)
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研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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キーワード | 単層ナノチューブ / SPM加工 / シングルナノメータスケール加工 / 穴加工 / STM加工 / シングルナノスケール / 超微細加工 / シングルナノスケール加工 / 単層カーボンナノチューブ / 引き上げ法 / 走査型トンネル顕微鏡 / 高アスペクト比穴加工 / ニードル / 高アスペクト比 |
研究成果の概要 |
ナノシステムの開発には10 nm以下、つまりシングルナノメータスケールの超微細加工技術の構築が必要である.本研究では直径約2 nmから10 nmを有する単層カーボンナノチューブ(SWNT)を走査型プローブ顕微鏡のタングステン探針先端に、独自開発した超音波を利用したSWNT分散溶液から引き上げることによりSWNTを確率17%で一本取り付けることに成功した.このSWNT探針を利用して3V-8Vのバイアス電圧を付加して除去加工を行うことにより、直径9nm、深さ4nmの穴を高配向性グラファイト表面上に加工することに成功した.
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