| 研究課題/領域番号 |
25420279
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 北海道大学 |
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研究代表者 |
有田 正志 北海道大学, 情報科学研究科, 准教授 (20222755)
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| 研究分担者 |
高橋 庸夫 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 教授 (90374610)
末岡 和久 北海道大学, 大学院情報科学研究科, 教授 (60250479)
柴山 環樹 北海道大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (10241564)
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| 研究協力者 |
工藤 昌輝
大野 裕輝
高橋 謙仁
平田 周一郎
村上 暢介
越智 隼人
米坂 瞭太
武藤 恵
中根 明俊
廣井 孝弘
勝村 玲音
森 雄司
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 抵抗変化メモリ / 電子顕微鏡 / 電子・電気材料 / 電子デバイス・機器 / ナノ材料 |
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| 研究成果の概要 |
抵抗変化メモリ（ReRAM）がbeyond CMOSを目指して研究・開発されている．その動作原理の解明は最重要課題であり，電気化学に基づくモデルの提唱はあるが，不明な点が多い．本研究では，その場透過電子顕微鏡法により金属フィラメント型ReRAM内の微細構造を実時間観察した．その結果，高抵抗⇔低抵抗（Set，Reset）の動作時には大きな変化はなく，追加の通電により大きな構造変化の生じる事が分かった．ナノ領域での変化が抵抗スイッチに寄与している．大きな構造変化はスイッチ箇所の不安定化，金属イオンの固溶を促進し，劣化を生じた．Set，Reset時の投入電力バランスが安定動作に重要であると言える．
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