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次世代半導体デバイスのための不純物分布計測技術の開発

研究課題

研究課題/領域番号 25420285
研究種目

基盤研究(C)

配分区分基金
応募区分一般
研究分野 電子・電気材料工学
研究機関中部大学 (2015-2016)
名古屋大学 (2013-2014)

研究代表者

田中 成泰  中部大学, 生命健康科学部, 教授 (70217032)

研究協力者 丹羽 辰嗣  
手島 基裕  
軽海 貴博  
長尾 俊介  
研究期間 (年度) 2013-04-01 – 2017-03-31
研究課題ステータス 完了 (2016年度)
配分額 *注記
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 3,250千円 (直接経費: 2,500千円、間接経費: 750千円)
キーワード電子線誘起電流 / EBIC / SEM / 不純物濃度 / シリコン
研究成果の概要

半導体デバイスの開発には,静電ポテンシャルを制御することが必要で,これは不純物の種類や濃度を変化させることで実現する.新しくデバイスを開発する時,不純物が設計どおりに制御できているか調べることが必要になる.しかし,デバイスの微細化が進む中,そのような手法の開発が遅れている.本研究では,電子ビームを照射したときに流れる電流を測ることで,不純物濃度を分析する手法の開発を目指した.電子顕微鏡を使って行う手法であり,空間分解能は非常に高く出来,濃度に応じて誘導電流が変化することを確認出来た.しかし,そのために試料を加工する必要がある.試料作製法を改良することで,より信頼できる手法になると期待される.

報告書

(5件)
  • 2016 実績報告書   研究成果報告書 ( PDF )
  • 2015 実施状況報告書
  • 2014 実施状況報告書
  • 2013 実施状況報告書
  • 研究成果

    (12件)

すべて 2017 2015 2014 2013

すべて 雑誌論文 (4件) (うち査読あり 4件) 学会発表 (8件) (うち招待講演 1件)

  • [雑誌論文] SEM observation and analysis of InGaN/GaN multiple quantum well structure using obliquely polished sample2017

    • 著者名/発表者名
      S. Tanaka, T. Karumi
    • 雑誌名

      Microscopy

      巻: 66 ページ: 131-135

    • DOI

      10.1093/jmicro/dfw101

    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Observation of the Potential Distribution in GaN-based Devices by Scanning Electron2015

    • 著者名/発表者名
      T.Karumi, S.Tanaka
    • 雑誌名

      Microsc. Microanal.

      巻: 21 号: S3 ページ: 275-276

    • DOI

      10.1017/s1431927615002172

    • 関連する報告書
      2015 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] Observation of the potential distribution in GaN-based devices by a scanning electron microscope2014

    • 著者名/発表者名
      T. Karumi, T. Tanji and S. Tanaka
    • 雑誌名

      Microscopy

      巻: 63 号: suppl 1 ページ: i22.1-i23

    • DOI

      10.1093/jmicro/dfu051

    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [雑誌論文] A simple way to obtain backscattered electron images in a scanning transmission electron microscope2014

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuruta, S. Tanaka, T. Tanji and C. Morita:
    • 雑誌名

      Microscopy

      巻: 63 号: 4 ページ: 333-336

    • DOI

      10.1093/jmicro/dfu017

    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書
    • 査読あり
  • [学会発表] 斜め研磨によるInGaN/GaN量子井戸構造のSEM観察と解析2017

    • 著者名/発表者名
      田中成泰、新實幸樹
    • 学会等名
      第73回日本顕微鏡学会学術講演会
    • 発表場所
      札幌コンベンションセンター(北海道・札幌)
    • 年月日
      2017-05-30
    • 関連する報告書
      2016 実績報告書
  • [学会発表] 走査型電子顕微鏡による半導体ポテンシャル分布の観察2014

    • 著者名/発表者名
      軽海貴博,田中成泰,丹司敬義,天野浩
    • 学会等名
      平成26年度電気・電子・情報関係学会 東海支部連合大会
    • 発表場所
      名古屋市
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-09
    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書
  • [学会発表] 電子線ホログラフィ法による窒化物半導体超格子内のピエゾ電界の解析2014

    • 著者名/発表者名
      長尾俊介,田中成泰,丹司敬義,天野浩
    • 学会等名
      平成26年度電気・電子・情報関係学会 東海支部連合大会
    • 発表場所
      名古屋市
    • 年月日
      2014-09-08 – 2014-09-09
    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書
  • [学会発表] An attempt to visualize dopant distribution in Si by low-voltage SEM-EBIC2014

    • 著者名/発表者名
      S. Tanaka, T. Niwa and T. Tanji
    • 学会等名
      IMC2014(18th International Microscopy Congress)
    • 発表場所
      Prague, Czech Republic
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-12
    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書
  • [学会発表] A simple way to obtain BSE image in STEM2014

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuruta, S. Tanaka, T. Tanji and C. Morita
    • 学会等名
      IMC2014(18th International Microscopy Congress)
    • 発表場所
      Prague, Czech Republic
    • 年月日
      2014-09-07 – 2014-09-12
    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書
  • [学会発表] STEM用試料ホルダー組み込み型の反射電子検出器(2)2014

    • 著者名/発表者名
      鶴田 浩貴,田中 成泰,丹司 敬義,森田 千明
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第70回記念学術講演会
    • 発表場所
      千葉市
    • 年月日
      2014-05-11 – 2014-05-13
    • 関連する報告書
      2014 実施状況報告書
  • [学会発表] 低加速電圧SEM-EBIC によるシリコン中のドーパント濃度分布の可視化2013

    • 著者名/発表者名
      丹羽辰嗣,田中成泰,軽海貴博,丹司敬義
    • 学会等名
      日本顕微鏡学会第69回学術講演会
    • 発表場所
      吹田市
    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書
    • 招待講演
  • [学会発表] BSE detector incorporated in STEM sample holder and its application2013

    • 著者名/発表者名
      H. Tsuruta, S. Tanaka, T. Tanji and C. Morita
    • 学会等名
      9th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices ’13
    • 発表場所
      Hawaii, USA
    • 関連する報告書
      2013 実施状況報告書

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公開日: 2014-07-25   更新日: 2019-07-29  

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