研究課題
基盤研究(C)
p型ワイドギャップ半導体CuxZnySのデバイス応用を試み、同時にそのための基礎物性評価を行った。組成と伝導型の関係を調べたところ、Cu組成比が0.5~0.7%を境界としそれ以上ではp型、以下ではn型の伝導型をしめすことが分かった。また、硫黄雰囲気中で熱処理をしたところ、200℃程度まではp型を示すが、それ以上の温度では真性に近くなることがわかった。また、デバイス応用のため、n型ワイドギャップ半導体薄膜とのヘテロ接合作製を試みた。n型層としてはZnO、ZnSを用いた。いずれのヘテロ接合でも整流性と光応答が確認された。これより、CuxZnySは透明p型半導体として光電子素子応用に有望である。
すべて 2017 2016 2015 2014 その他
すべて 雑誌論文 (7件) (うち査読あり 7件、 オープンアクセス 2件、 謝辞記載あり 7件) 学会発表 (9件) (うち国際学会 3件、 招待講演 3件)
AIP Conf. Proc.
巻: 1788 ページ: 020005-020005
10.1063/1.4968253
Transactions of the Materials Research Society of Japan
巻: 41 号: 3 ページ: 255-258
10.14723/tmrsj.41.255
130005263765
Jpn. J. Appl. Phys.
巻: 55 号: 9 ページ: 098004-098004
10.7567/jjap.55.098004
210000147086
Transaction of Material Research Society of Japan
巻: 41 ページ: 0-0
Solid State Electronics
巻: 107 ページ: 8-10
10.1016/j.sse.2015.02.016
Physica Status Solidi (c)
巻: 12 号: 6 ページ: 504-507
10.1002/pssc.201400229
Thin Solid Films
巻: 594 ページ: 277-281
10.1016/j.tsf.2015.04.071