| 研究課題/領域番号 |
25420287
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
若家 冨士男 大阪大学, 基礎工学研究科, 准教授 (60240454)
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| 研究分担者 |
阿保 智 大阪大学, 大学院基礎工学研究科, 助教 (60379310)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | グラフェン / レーザー加工 / マスクレス加工 / マスクレス |
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| 研究成果の概要 |
SiO2/Si 基板上のグラフェンに，KrF エキシマレーザーを照射したところ，あるパワー(以下では閾値パワーと呼ぶ)のときに，突然グラフェンが消失することが分かった。様々な層数(膜厚)のグラフェンに様々なパワーのレーザーを照射することにより，閾値パワーはグラフェンの層数に依存することを明らかにした。このことを利用して，ある目的の層数のグラフェンを基板上に残すような「層数選択的」なプロセスが可能であることを実証した。また，全面にグラフェンを転写した基板の一部にレーザーを照射するとその部分のグラフェンを取り除くことができることを示した。これはマスクレスレーザー加工を実証したことになる。
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