| 研究課題/領域番号 |
25420288
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 山口大学 |
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研究代表者 |
倉井 聡 山口大学, 理工学研究科, 助教 (80304492)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | AlGaN / GaInN / 混晶半導体 / カソードルミネッセンス / 顕微分光 / 量子井戸構造 / AｌGaN / InGaN / 量子井戸 / 窒化アルミニウムガリウム / ドーピング |
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| 研究成果の概要 |
Si不純物濃度およびAl組成比の異なるAlGaN混晶薄膜をSEM-CL法で評価した。Si不純物濃度増加とAl組成比低下が表面ヒロックを増加させ、ヒロック端に局所的なSi起源のドナーアクセプタ対発光が生じた。また、理論的予測との比較から、結晶性が高い高Al組成AlGaN混晶薄膜において、局所CLの発光半値幅が増大することを明らかにした。この増大はAl空孔複合欠陥の増大と相関していることが示唆された。AlGaN量子井戸の顕微分光評価結果と内部量子効率との相関を明確にした。さらに、GaInN薄膜の温度依存CLマッピング像から、貫通転位近傍のポテンシャル構造についての考察を行い、発光モデルを構築した。
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