研究課題
基盤研究(C)
本研究では高品質絶縁膜/SiC構造を実現するための界面制御層の導入およびポスト熱処理に関する基礎検討を行っている。本研究ではSiC基板を用いずにSi(100)基板で調査した。界面制御層形成には加熱フィラメントによるNH3ガスの接触分解により行い、フィラメント温度：1600℃、基板温度：200℃、処理時間：30分の処理が最適であることを明らかにした。また、ポスト熱処理の最適条件を調べたところ、窒素雰囲気中、400℃で60分間の処理で界面準位密度を低減できることを明らかにした。
すべて 2015 2014 その他
すべて 学会発表 (8件)
