| 研究課題/領域番号 |
25420292
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 熊本大学 |
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研究代表者 |
末吉 哲郎 熊本大学, 自然科学研究科, 助教 (20315287)
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| 連携研究者 |
石川 法人 日本原子力研究開発機構, 原子力基礎工学研究部門, 研究主幹 (90354828)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | high-Tc superconductors / critical current density / flux pinning / ion irradiation / synergy effect / 高温超伝導体 / 臨界電流密度 / 磁束ピンニング / イオン照射 / 高臨界電流密度 / 重イオン照射欠陥 / 異方性改善 / 重イオン照射 / 1次元ピン / 照射欠陥 / ナノ構造制御 |
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| 研究成果の概要 |
ピン止め点の形状や導入量を制御可能なイオン照射欠陥を用いて，線状格子欠陥と球状格子欠陥の利点を併せ持つハイブリッド磁束ピン止め構造を高温超伝導薄膜中に構築し，その臨界電流密度Jcの磁場角度依存性を調べた．線状格子欠陥を不連続化し，球状格子欠陥的なピン止め機能を付加したピン止め構造を用いると，連続な線状格子欠陥と比較して広範囲の磁場方向でJcが向上した．線状格子欠陥と球状格子欠陥を同時導入したピン止め構造では，Jcが向上する磁場方向の範囲が球状格子欠陥のサイズに依存することが分かった．また，線状格子欠陥の導入で低下するab面方向のJcを球状格子欠陥の空間分布制御により改善することができた．
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