| 研究課題/領域番号 |
25420293
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 富山県立大学 |
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研究代表者 |
松田 敏弘 富山県立大学, 工学部, 教授 (70326073)
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| 研究分担者 |
岩田 栄之 富山県立大学, 工学部, 准教授 (80223402)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,290千円 (直接経費: 3,300千円、間接経費: 990千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | シリコン / MOS / 発光 / 半導体 / 希土類 |
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| 研究成果の概要 |
大規模集積回路（LSI）の主要材料であるシリコン（Si）による発光素子は、光による信号伝達や携帯電子機器の小型ディスプレイ等への応用が期待される。本研究では、Siを用いた可視・紫外領域の発光素子の試作と特性解析を行った。発光性の絶縁層は、Si基板上に希土類元素を含む有機材料をスピンコートし、大気中の熱処理で作製した。希土類元素として、Tb、Eu 、Gd、等とCa、Ba、Ta等の組み合わせを検討した。それぞれの希土類イオンの発光性遷移エネルギーに対応した波長での発光を確認した。とくに、Gdを含む素子では、約310 nm付近の紫外光を観測した。
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