| 研究課題/領域番号 |
25420295
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 日本大学 |
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研究代表者 |
岩田 展幸 日本大学, 理工学部, 准教授 (20328686)
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| 研究分担者 |
山本 寛 日本大学, 理工学部, 教授 (90130632)
橋本 拓也 日本大学, 文理学部, 教授 (20212136)
高瀬 浩一 日本大学, 理工学部, 教授 (10297781)
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| 連携研究者 |
塚本 新 日本大学, 理工学部, 教授 (30318365)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
4,940千円 (直接経費: 3,800千円、間接経費: 1,140千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
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| キーワード | 電気磁気効果 / マルチフェロイック / 酸化物積層膜 / スパッタ法 / パルスレーザー堆積法 / ヘテロ界面 / 電界印加型磁気特性制御 / 新規物質設計 / 人工超格子 / 電界印加磁気特性制御 / Cr2O3 / 交換バイアス磁場 / 酸化物人工超格子 / 超高密度ターゲット / ペチーニ法 |
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| 研究成果の概要 |
電界印加のみにより磁気特性制御および磁化反転を可能とするため[Pt/Co]Pt//r面配向Cr2O3積層膜および酸化物人工超格子[BiMO3/CaBO3(M=Mn, Fe、B=Fe, Mn)の作製を試みた。積層膜では、電場磁場冷却の磁場方向を反転することで、交換バイアス磁場(HEB)は5Kにおいてプラス220Oeからマイナス510Oeへ大きく変移することを確認した。人工超格子は弱強磁性を示し、そのキュリー温度は室温を遥かに超える温度を確認した。反強磁性体を積層させた人工超格子においては、室温においてその界面に強磁性的結合が発生していることを確かめた。いづれも電界印加磁化反転に通じる結果を得た。
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