| 研究課題/領域番号 |
25420307
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
ビジョラ ガルシア 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 (90421411)
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| 研究分担者 |
大島 祐一 国立研究開発法人 物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, 主任研究員 (70623528)
島村 清史 国立研究開発法人 物質・材料研究機構, 光・電子材料ユニット, グループリーダー (90271965)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 910千円 (直接経費: 700千円、間接経費: 210千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 酸化物半導体 / ワイドギャップ半導体 / パワー半導体 / パワーデバイス / 酸化ガリウム |
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| 研究成果の概要 |
ハライド気相成長法により、ワイドギャップ半導体材料として有望なGa2O3の結晶成長を検討した。サファイアc面基板にオフ角度を導入することで、異種基板上のβ-Ga2O3の成長で従来問題であった面内回転ドメインの発生が著しく抑制されることを明らかにした。また、550℃程度の低温ではGa2O3の結晶構造は基板に依存し、サファイアc面基板上ではα-Ga2O3、GaNやAlNのc面上ではε-Ga2O3の単結晶膜が成長することを見出した。
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