再成長ソースを有する三次元構造InGaAs MOSFET

• 研究課題/領域番号: 25420322
• 研究種目: 基盤研究(C)
• 配分区分: 基金
• 応募区分: 一般
• 研究分野: 電子デバイス・電子機器
• 研究機関: 東京工業大学
• 研究代表者: 金澤 徹 東京工業大学, 理工学研究科, 助教 (40514922)
• 研究期間 (年度): 2013-04-01 – 2016-03-31
• 研究課題ステータス: 完了 (2015年度)
• 配分額: 5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円); 2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円); 2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円); 2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
• キーワード: MOSFET / 化合物半導体 / MOVPE / マルチゲート / マルチゲート構造 / 有機金属気相成長法 / 高移動度チャネル

研究成果の概要

将来の集積回路応用へ向けた高速・低消費電力トランジスタの実現へ向けた取り組みを行った。高電子移動度を有するInGaAsチャネル、リーク電流を抑制するマルチゲート構造、高い電流注入能力を有する再成長ソースを有する電界効果トランジスタを提案し、素子作製を行った。さらなる特性改善へ向けて再成長およびフィン型チャネル作製の条件を調査した。これにより、トランジスタのチャネル長は16 nmまで縮小され素子特性が向上した。

研究成果

• [学会発表] Operation of 16-nm InGaAs channel multi-gate MOSFETs with regrown source/drain (2016)
  • 著者名/発表者名: Haruki Kinoshita
  • 学会等名: Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)
  • 発表場所: Toyama
  • 年月日: 2016-06-26
• [学会発表] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETのLch=16nm動作 (2016)
  • 著者名/発表者名: 木下治紀
  • 学会等名: 応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 目黒
  • 年月日: 2016-03-19
• [学会発表] 再成長S/Dを有するInGaAsマルチゲートMOSFETの作製プロセス (2015)
  • 著者名/発表者名: 木下治紀
  • 学会等名: 応用物理学会秋季学術講演会
  • 発表場所: 名古屋
  • 年月日: 2015-09-13
• [学会発表] Fabrication of InGaAs channel multi-gate MOSFETs with MOVPE regrown source/drain (2015)
  • 著者名/発表者名: Haruki Kinoshita
  • 学会等名: Topical Workshop on Heterostructure Microelectronics (TWHM)
  • 発表場所: Takayama
  • 年月日: 2015-08-23
• [学会発表] 再成長ソース・ドレインを有するマルチゲートＭＯＳＦＥＴの作製プロセス (2015)
  • 著者名/発表者名: 木下治紀
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 金沢
  • 年月日: 2015-07-24
• [学会発表] Improvement of Interface Property of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Using Nitrogen Plasma Cleaning and Hydrogen Annealing (2015)
  • 著者名/発表者名: Seiko Netsu
  • 学会等名: The 27th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
  • 発表場所: Santa Barbara, CA, USA
  • 年月日: 2015-06-28 – 2015-07-02
• [学会発表] Improvement of Interface Property of HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As Using Nitrogen Plasma Cleaning and Hydrogen Annealing (2015)
  • 著者名/発表者名: Seiko Netsu
  • 学会等名: Int. Conf. Indium Phosphide and Related Materials (IPRM)
  • 発表場所: Santa Barbara
  • 年月日: 2015-06-28
• [学会発表] 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsマルチゲートMOSFET作製プロセスに関する研究 (2015)
  • 著者名/発表者名: 木下 治紀
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 平塚
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [学会発表] HfO2/Al2O3/In0.53Ga0.47As界面に対する窒素プラズマクリーニング後の水素アニール効果に関する研究 (2015)
  • 著者名/発表者名: 祢津 誠晃
  • 学会等名: 第62回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 平塚
  • 年月日: 2015-03-11 – 2015-03-14
• [学会発表] InGaAs channel tri-gate MOSFETs with regrown source/drain (2014)
  • 著者名/発表者名: Yuichi Mishima
  • 学会等名: 72nd Device Research Conference
  • 発表場所: Santa Barbara, CA, USA
  • 年月日: 2014-06-22 – 2014-06-25
• [学会発表] InGaAs tri-gate MOSFET with MOVPE regrown source/drain (2014)
  • 著者名/発表者名: Yuichi Mishima
  • 学会等名: 72nd Device Research Conference
  • 発表場所: Santa Barbala
• [学会発表] 再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET (2014)
  • 著者名/発表者名: 三嶋裕一
  • 学会等名: 第61回応用物理学会春季学術講演会
  • 発表場所: 相模原
• [学会発表] MOVPE再成長ソース/ドレインを有するInGaAsトライゲートMOSFET (2014)
  • 著者名/発表者名: 金澤 徹
  • 学会等名: 電子情報通信学会電子デバイス研究会
  • 発表場所: 東京