| 研究課題/領域番号 |
25420341
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 工学院大学 |
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研究代表者 |
本田 徹 工学院大学, 公私立大学の部局等, 教授 (20251671)
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| 研究分担者 |
山口 智広 工学院大学, 先進工学部, 准教授 (50454517)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 780千円 (直接経費: 600千円、間接経費: 180千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 2,990千円 (直接経費: 2,300千円、間接経費: 690千円)
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| キーワード | 窒化ガリウム / 発光ダイオード / 分子線エピタキシャル成長法 / 結晶成長 / リフトオフ / 透明電極 / 酸化物 / X線回折 / GaN / MBE / x線回折 |
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| 研究成果の概要 |
マイクロ・ディスプレイをめざし、高密度GaN系近紫外発光ダイオード(LED)集積化と蛍光体を利用したRGB発光に関する検討が必要である。GaN系近紫外LED集積化によるマイクロFPD製作のための要素技術である、素子一括集積化に必要な素子分離化技術を踏まえた結晶成長および近紫外透明導電膜の形成を行うことを検討した。化学リフトオフが可能である結晶Alをサファイア基板上に形成し、その上にGaN系薄膜の成長を行う手法を検討した。また、近紫外透明導電膜として酸化物透明電極を低コストに製作する手法を検討した。
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