| 研究課題/領域番号 |
25420352
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 国立研究開発法人情報通信研究機構 |
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研究代表者 |
丘 偉 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所ナノICT研究室, 研究員 (90535189)
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| 連携研究者 |
川上 彰 国立研究開発法人情報通信研究機構, 未来ICT研究所ナノICT研究室, 主任研究員 (90359092)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | 超伝導 / TiN / NbN / 超伝導共振器 / 誘電損失 / エピタキシャル / ジョセフソン接合 / 超伝導量子回路 / Superconducting / CPW / Quality factor / Dielectric loss / Epitaxial / Al / quality factor / dielectri loss / epitaxial / qubit / junction / energy relaxation time / superconducting / Josephson |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、超伝導量子回路における誘電損失の原因となる２準位系について調べました。水素終端したシリコン基板上に、TiNをバッファ層として超伝導NbNエピタキシャル成長膜を作製しました。このTiN/NbN２層構造からなる超伝導共振器の誘電損失は2.25 x 10-6で、TiN薄膜単体からほぼ同じレベルであり、MgO単結晶基板上に作製したNbN薄膜の1 x 10-4に比べて劇的な改善が見られました。TiN/NbN２層構造の表面平坦性は0.5nm以下であり、TiN単層膜の0.5nm以上という表面平坦性に比べて改善しており、超伝導量子ビット回路におけるジョセフソン接合の作製により適していると考えられる。
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