| 研究課題/領域番号 |
25420708
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 山梨大学 |
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研究代表者 |
田中 功 山梨大学, 総合研究部, 教授 (40155114)
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| 研究協力者 |
綿打 敏司
長尾 雅則
柿澤 浩太
山田 瑞紀
ALI Md Mozahar
丸山 恵李佳
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,170千円 (直接経費: 900千円、間接経費: 270千円)
2013年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | アルミン酸カルシウム / 単結晶育成 / FZ法 / エレクトライド / C12A7 / 固溶限界 / 分配係数 / ブリッジマン法 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、In等の稀少金属を用いない透明導電体や高効率電子放出材料の開発を目指して、遷移金属元素や希土類金属元素をドープしたアルミン酸カルシウムC12A7の高品質バルク単結晶を育成し、その育成結晶をエレクトライド化して元素ドーピング効果を調べた。
その結果、固液界面形状を制御して溶媒移動浮遊帯域溶融法（TSFZ法）で結晶育成を行うことによりC12A7バルク単結晶中のドーパント濃度を制御することができた。さらに、希土類金属元素の置換はわずかな固溶量でもC12A7エレクトライドの電気伝導率の向上に効果的であることを明らかにした。
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