| 研究課題/領域番号 |
25420712
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
無機材料・物性
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| 研究機関 | 九州大学 |
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研究代表者 |
寒川 義裕 九州大学, 応用力学研究所, 准教授 (90327320)
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| 研究協力者 |
ボコウスキ ミハエル ポーランド科学アカデミー, 高圧物理学研究所, 教授
マイスナー エルケ フラウンホーファー研究機構, 集積システム・デバイス技術研究所, 上席研究員
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,330千円 (直接経費: 4,100千円、間接経費: 1,230千円)
2015年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
2014年度: 520千円 (直接経費: 400千円、間接経費: 120千円)
2013年度: 3,770千円 (直接経費: 2,900千円、間接経費: 870千円)
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| キーワード | 溶液成長 / 窒化アルミニウム / その場観察 / パワーデバイス用材料 |
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| 研究成果の概要 |
都市生活を営む上で直流－交流変換などの電力変換は不可欠である。本研究では、高品質かつ低コストのAlN 単結晶基板の成長技術を確立し、次世代AlN 系パワーデバイス開発の加速に貢献することを目的とする。目的達成に向けて、AlN固体ソース溶液成長中の高温固－液界面のその場観察装置を開発し、成長初期過程の観察を行った。成長温度1250℃では樹脂状成長様式が、1350℃では多段ステップの移動による成長様式が観察された。得られたAlNは多結晶であったが、高温固－液界面のその場観察技術の開発およびAlN固体ソース溶液成長プロセスの解明に成功した。
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