| 研究課題/領域番号 |
25420743
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
複合材料・表界面工学
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| 研究機関 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 |
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研究代表者 |
菱田 俊一 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 経営企画部門, 特別研究員 (40354419)
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| 研究分担者 |
坂口 勲 国立研究開発法人物質・材料研究機構, 機能性材料拠点, グループリーダー (20343866)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,200千円 (直接経費: 4,000千円、間接経費: 1,200千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 2,080千円 (直接経費: 1,600千円、間接経費: 480千円)
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| キーワード | イオンビーム誘起結晶 / イオン照射 / チタニア / 単結晶基板 / 組成調整 / 平滑表面 / 格子ミスマッチ / イオンビーム誘起結晶成長 / 単結晶 / 表面平滑性 / 格子定数 |
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| 研究成果の概要 |
良質なエピタキシャル薄膜の成長のために、高い表面平滑性と制御された化学組成、すなわち制御された格子定数を持つ結晶表面を調製することを目的として、イオンビーム誘起結晶成長を用い、基板結晶の表面改質を行った。二酸化チタン-スズ系を対象とし、TiO2(110)面へ50keVのSn+を基板温度５５０℃でイオン注入するイオンビーム誘起結晶成長を行うことにより、原子ステップ-テラス構造の平坦な表面構造を持ち、表面組成がSn0.126Ti0.874O2の基板結晶を得ることに成功した。また、注入イオン量の約1/10が表面組成の制御に寄与し、残りはイオンの平均侵入深さより深い領域に異常拡散する現象を発見した。
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