| 研究課題/領域番号 |
25420799
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| 研究種目 |
基盤研究(C)
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| 配分区分 | 基金 |
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| 応募区分 | 一般 |
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| 研究分野 |
化工物性・移動操作・単位操作
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| 研究機関 | 横浜国立大学 |
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研究代表者 |
中村 一穂 横浜国立大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (30323934)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
5,070千円 (直接経費: 3,900千円、間接経費: 1,170千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,690千円 (直接経費: 1,300千円、間接経費: 390千円)
2013年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
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| キーワード | ケーク層 / 圧力損失 / 流動電位 / 粒子間間隙 / 表面電荷密度 / Filtration / Streaming potential / Cake layer / Particles / 界面動電現象 / 圧搾 / 粘度 |
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| 研究成果の概要 |
数ミクロンから数ナノメートルの間隙を液体が透過する際に生じる圧力損失に関して、界面化学に基づく新しい空間間隙,表面電荷密度の評価方法の開発を行った。圧力損失場として球形PMMA粒子、JIS粉体（関東ローム、重炭酸カルシウム）、難溶性無機結晶(PbSO4, Zn(OH)2)の粒子が形成するケーク層を対象とした。評価された粒子間間隙は、既往方法と相関が得られ、その有用性が明らかになった。表面電荷密度は粒子の種類に依存し、その絶対値はおよそ0.05-0.02C/m2程度の値を示すことが明らかになった。これらの結果より、粒子間間隙のリアルタイム評価法につながる基礎的な知見を明らかにした。
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