| 研究課題/領域番号 |
25600016
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
ナノ構造物理
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
中村 芳明 大阪大学, 基礎工学研究科, 教授 (60345105)
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| 連携研究者 |
吉川 純 物質・材料研究機構, 先端的共通技術部門, 主任研究員 (20435754)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
2013年度: 1,950千円 (直接経費: 1,500千円、間接経費: 450千円)
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| キーワード | 熱電ナノ材料 / 半導体 / 分子線エピタキシー / 熱伝導 / ナノドット / 熱電変換材料 / シリコン系材料 / MBE / ユビキタス元素 |
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| 研究成果の概要 |
本研究では、Si層をキャリア波動伝搬パス、ナノドットを波長フィルタとして機能させることで電気と熱の伝導率の独立制御を狙った。極薄Si酸化膜を用いた独自のナノドット形成技術を使用することで、結晶方位を揃えたGeナノドットを導入したSi薄膜構造の形成を行った。その結果、少ないGe含有量で、従来のSiGe混晶材料より、熱伝導率を低減することに成功した。また、その熱伝導率低減効果は、ナノドットのサイズに依存することを見出した。これは、電気伝導層のSi層に無関係で、Geナノドットが熱伝導率を支配的に決定していることを意味しており、電気と熱の独立制御につながるものである。
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