| 研究課題/領域番号 |
25600091
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
薄膜・表面界面物性
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
末光 眞希 東北大学, 電気通信研究所, 教授 (00134057)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2016-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2015年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,040千円 (直接経費: 800千円、間接経費: 240千円)
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| キーワード | 3C-SiC / ヘテロエピタキシ / 積層欠陥 / 転位 / X線ロッキング曲線 / CMOS / 断面TEM観察 / RHEED / 面欠陥 / CVD / 双晶 |
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| 研究成果の概要 |
電子・正孔共に同等の移動度を有するSi(110)面とSi(111)面の組み合わせをSi(110)基板の一部に3C-SiC(111)薄膜を介してSi(111)面を成長させることで実現するアイディアを掲げ、その原理検証に取り組んだ。まず、Si(110)基板上に3C-SiC(111)薄膜が成長する回転エピ成長機構を解明し、これを最適化した。その結果、Si(110)面上に従来法よりX線ロッキング半値幅で23％高品質の3C-SiC(111)結晶薄膜をヘテロエピタキシャル成長することに成功し、同薄膜上に、工業的成膜手法であるLPCVD法を用いてSi(111)薄膜を形成することに成功した。
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