| 研究課題/領域番号 |
25600111
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
光工学・光量子科学
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| 研究機関 | 東京工業大学 |
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研究代表者 |
宮本 智之 東京工業大学, 精密工学研究所, 准教授 (70282861)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 2,470千円 (直接経費: 1,900千円、間接経費: 570千円)
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| キーワード | 面発光レーザ / 混晶化 / 選択酸化 / 光閉じ込め / 電流閉じ込め / 半導体加工プロセス / 光エレクトロニクス / AlAs / 半導体光デバイス / 製作プロセス技術 / ヘテロ界面混晶化 / 相互拡散 / 物性制御 / 光集積 |
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| 研究成果の概要 |
GaAs系光デバイス製作技術として混晶化を用いたAlAs選択酸化形状手法を提案した．既存のAlAs選択酸化技術では，同一基板上で同一選択酸化速度となる．本研究では，混晶化によるAlAs層厚の実効的な減少を用いて，任意領域の選択酸化速度の低減に成功した．これにより，提案手法が複雑形状形成のための有用な手法となる可能性を示した．また，これら一連のプロセスに基づく非酸化部形状の数値シミュレーションを可能とする基礎的ツールを構築した．
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