| 研究課題/領域番号 |
25610070
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
物性Ⅰ
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
山本 倫久 東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 講師 (00376493)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2014年度: 1,560千円 (直接経費: 1,200千円、間接経費: 360千円)
2013年度: 2,340千円 (直接経費: 1,800千円、間接経費: 540千円)
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| キーワード | 半導体物性 / 量子エレクトロニクス / 量子細線 |
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| 研究成果の概要 |
本研究は、電子間相互作用による非平衡電子の緩和過程を利用して、半導体基板中で電流を増幅する雪崩式“電子増倍素子”を開発することを目的とした。電子増倍素子を試作し、パラメータを調節することによって、入力電流が低い場合に増幅率9を得た。この素子をうまく利用すると、将来的には伝搬する電子を１個単位で捉えられる可能性がある。その応用を見越して、電子波干渉計の出力電流を増幅するための埋め込み技術の開発も進めた。
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