| 配分額 *注記 |
3,900千円 (直接経費: 3,000千円、間接経費: 900千円)
2015年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
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| 研究成果の概要 |
高融点化合物の純良単結晶をテトラアーク溶解炉による引き上げ法，シリコニット炉を使ったブリッジマン法，通常の電気炉によるフラックス法，温度差を利用したトランスポート法を駆使して VSi2, NbSi2, TaSi2 を始めとして約40種類の純良単結晶を育成した。そして，ドハース・ファンアルフェン（dHvA）効果による実験からフェルミ面の性質を明らかにした。特に結晶に反転対称性のない VSi2, NbSi2, TaSi2, PdBiSe, NiSbS, Co2Al9, Rh2Al9, Ir2Al9, Rh2Ga9, Ir2Ga9 では↑と↓のスピンに応じて２つに分裂した。
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