| 研究課題/領域番号 |
25630118
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 東北大学 |
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研究代表者 |
福島 誉史 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 准教授 (10374969)
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| 研究分担者 |
マリアッパン ムルゲサン 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 産学官連携研究員 (10509699)
裵 志哲 (ベ ジチョル) 東北大学, 未来科学技術共同研究センター, 助教 (40509874)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 2,600千円 (直接経費: 2,000千円、間接経費: 600千円)
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| キーワード | 気相堆積重合 / ポリイミド / TSV / ＴＳＶ |
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| 研究成果の概要 |
気相堆積法によりポリイミド薄膜を次世代集積回路の基幹配線として期待されるSi貫通配線（TSV: Through-Silicon Via）のライナー絶縁膜として応用できる可能性を示すことができた。原子層気相堆積（ALD）のような緻密で高制御な超薄膜形成には至らなかったが、100nm以下の膜厚を10nm単位で制御でき、ALDに比べて高い成膜速度（およそ100-200nm/min）で高純度なKapton-H型のポリイミド薄膜を形成できた。アスペクト１０、直径5μｍ以下のSi深穴に８０％を超える高い被覆率で堆積でき、既存のプラズマCVDによるSiO2薄膜よりも低い応力でTSVを形成することができた。
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