極薄シリコン層上への低欠陥ゲルマニウムのエピタキシャル成長

研究課題

研究課題/領域番号	25630121
研究種目	挑戦的萌芽研究
配分区分	基金
研究分野	電子・電気材料工学
研究機関	東京大学
研究代表者	石川靖彦東京大学, 工学(系)研究科(研究院), 准教授 (60303541)
研究期間 (年度)	2013-04-01 – 2016-03-31
研究課題ステータス	完了 (2015年度)
配分額 *注記	4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円) 2015年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円) 2014年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円) 2013年度: 1,300千円 (直接経費: 1,000千円、間接経費: 300千円)
キーワード	エピタキシャル / 結晶成長 / 電子・電気材料 / 格子欠陥 / 半導体物性
研究成果の概要	SOI（Si-on-Insulator）ウエハ上へ低転位のGe層をエピタキシャル成長することを目指し、上部Si層を極薄化およびパターン化したSOIウエハ上へGe成長を行った。上部Si層への転位導入を期待していたが、転位が発生する前に形状変形・SiGe混晶化によるひずみ緩和が起こり、Ge/Siの層状態を維持できずに凹凸が発生した。層構造を維持し、かつGeを低転位化するには、成長温度の低下などを検討する必要がある。

報告書

(4件)