| 研究課題/領域番号 |
25630124
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 基金 |
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| 研究分野 |
電子・電気材料工学
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| 研究機関 | 大阪大学 |
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研究代表者 |
渡部 平司 大阪大学, 工学(系)研究科(研究院), 教授 (90379115)
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| 連携研究者 |
志村 考功 大阪大学, 大学院工学研究科, 准教授 (90252600)
細井 卓治 大阪大学, 大学院工学研究科, 助教 (90452466)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2014年度: 1,820千円 (直接経費: 1,400千円、間接経費: 420千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
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| キーワード | 電子・電気材料 / パワーエレクトロニクス |
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| 研究成果の概要 |
シリコンカーバイド（SiC）は、高い絶縁破壊電界強度と熱伝導度を有し、次世代のパワーエレクトロニクス材料として期待されている。SiC-MOSFETはノーマリーオフ動作が可能な理想的なスイッチングデバイスであるが、MOS界面には多量の欠陥が存在し、素子性能や信頼性を劣化させることが問題となっている。本研究では、SiO2/SiC構造に対して、外部からのビーム照射によりMOS界面の電気特性を改善するビーム励起界面反応技術を提案する。本研究期間では、熱酸化SiO2/SiC構造に紫外線または電子線照射を行う事で、構造欠陥の起源を探ると共に、ビーム励起界面反応技術構築に向けた基礎データを取得した。
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