| 研究課題/領域番号 |
25630135
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| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
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| 配分区分 | 補助金 |
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| 研究分野 |
電子デバイス・電子機器
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| 研究機関 | 東京大学 |
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研究代表者 |
平本 俊郎 東京大学, 生産技術研究所, 教授 (20192718)
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| 連携研究者 |
更屋 拓哉 東京大学, 生産技術研究所, 助手 (90334367)
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| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2014-03-31
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| 研究課題ステータス |
完了 (2013年度)
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| 配分額 *注記 |
4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
2013年度: 4,030千円 (直接経費: 3,100千円、間接経費: 930千円)
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| キーワード | 電子デバイス・集積回路 / 超低エネルギー / 半導体物性 / MOSトランジスタ / 大規模集積回路 / 超低消費電力 / サブスレッショルド / 電子デバイス・機器 / 低消費電力 |
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| 研究概要 |
本研究の目的は，100mVという超低電圧で動作する半導体デバイスを実現するための挑戦的基礎研究を行うことである．超低電圧で高いオン・オフ比を得るために，トランジスタのオン時にしきい値電圧(Vth)が自動的に下がり，オフ時にVthが自動的に上がる機構に注目し，このような機構を有する浮遊ゲート構造MOSトランジスタを提案した．実際に本構造のトランジスタを試作し，オン時のVth上昇とオフ時のVth低下を観測し，しかもこの現象が100mVという超低電圧でも起こることを確認した．さらに，SRAMの安定性が100mVという低電圧でも向上することを実験的に確認した．
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