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本研究では、放射線を照射するとPET材が紫外発光する現象を利用し、その紫外光をCMOSセンサーで読み出す放射線センサーの研究を行う。SPAD高感度化のため、バイアス電圧をCMOS集積回路内部で発生させるが、その際のバイアス電圧の自己補正を可能とした。チップ内においても正確な時間基準が必要であり、携帯性を考慮すると低消費電力かつ低雑音なクロック源が必要である。バラクタバイアス抵抗の最適化による方法と、スタンダードセルのみで実現可能な低消費電力な発振器方式について検討を行い、低消費電力においても低雑音化が可能であることを明らかにした。
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