| 研究課題/領域番号 |
25630273
|
|---|
| 研究種目 |
挑戦的萌芽研究
|
| 配分区分 | 基金 |
|---|
| 研究分野 |
無機材料・物性
|
|---|
| 研究機関 | 東北大学 |
|---|
研究代表者 |
後藤 孝 東北大学, 金属材料研究所, 教授 (60125549)
|
|---|
| 研究分担者 |
伊藤 暁彦 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (20451635)
且井 宏和 東北大学, 金属材料研究所, 助教 (70610202)
|
|---|
| 研究期間 (年度) |
2013-04-01 – 2015-03-31
|
| 研究課題ステータス |
完了 (2014年度)
|
| 配分額 *注記 |
3,640千円 (直接経費: 2,800千円、間接経費: 840千円)
2014年度: 1,430千円 (直接経費: 1,100千円、間接経費: 330千円)
2013年度: 2,210千円 (直接経費: 1,700千円、間接経費: 510千円)
|
|---|
| キーワード | 炭化ケイ素 / 化学気相析出 / レーザー / 高速成膜 / 高配向 / レーザーCVD / エピタキシャル成長 |
|---|
| 研究成果の概要 |
本研究は、レーザー照射による反応活性場での化学気相析出法により炭化ケイ素（SiC）のエピタキシャル膜を100 μm/h以上の高速レートで合成することを目的とした。レーザーCVDの各種合成条件と膜構造や配向性の相関を調べ、レーザー活性場における特有の成長過程を検討した。(111)に高配向した3C-SiC膜を200 μm/hで高速に気相成長することができ、(110)配向膜の成膜速度は最大で3600 μm/hに達した。
|
